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1. (WO2015137109) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137109    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055237
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 24.02.2015
CIB :
H01L 23/40 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : SAKAMOTO Yo; (JP)
Mandataire : RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-047344 11.03.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for producing a semiconductor device which includes: a step for preparing a semiconductor unit on which a semiconductor chip is mounted, and having a first principal surface provided with a heat-dissipating section and a second principal surface facing the first principal surface; a step for preparing a cooling device having a flat surface; a step for coating the first principal surface of the semiconductor unit or the flat surface of the cooling device with a paste containing metal nanoparticles; a step for contacting the first principal surface of the semiconductor unit and the flat surface of the cooling device to one another with the paste interposed therebetween; and a step for applying uniform in-plane pressure to the second principal surface of the semiconductor unit while simultaneously increasing the temperature of the paste, and forming a joining layer by sintering the paste.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, comprenant les étapes consistant à : préparer une unité à semi-conducteur sur laquelle est montée une puce à semi-conducteur, et présentant une première surface principale munie d'une section de dissipation thermique et une seconde surface principale faisant face à la première surface principale ; préparer un dispositif de refroidissement présentant une surface plane ; revêtir la première surface principale de l'unité à semi-conducteur ou la surface plane du dispositif de refroidissement d'une pâte contenant des nanoparticules métalliques ; mettre en contact la première surface principale de l'unité à semi-conducteur et la surface plane du dispositif de refroidissement, ladite pâte étant interposée entre celles-ci ; et appliquer une pression uniforme dans le plan à la seconde surface principale de l'unité à semi-conducteur tout en augmentant simultanément la température de la pâte, et former une couche de jonction par frittage de la pâte.
(JA) 放熱部を備えた第1主面と、第1主面と対向する第2主面を有し、半導体チップを搭載した半導体ユニットを準備する工程と、平坦面を有する冷却器を準備する工程と、半導体ユニットの第1主面、もしくは冷却器の平坦面に金属ナノ粒子を含んだペーストを塗布する工程と、ペーストを介して半導体ユニットの第1主面と冷却器の平坦面を接触させる工程と、ペーストを昇温すると同時に半導体ユニットの第2主面に面内で均一な加圧力を加え、ペーストを焼結して接合層を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)