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1. (WO2015137094) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET MÉTHODE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137094    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/054833
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 20.02.2015
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : KUBOTA, Kazuhiro; (JP).
HONDA, Masanobu; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-048152 11.03.2014 JP
Titre (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE AND PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET MÉTHODE DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Abrégé : front page image
(EN)This plasma treatment device contains the following: a treatment vessel; an ion-trapping member that allows radicals to pass therethrough, traps ions, and partitions the interior of the treatment vessel into a treatment space and a non-treatment space; a mount located in the treatment space; a first-gas supply unit that supplies a first treatment gas to the non-treatment space; a second-gas supply unit that supplies a second treatment gas to the treatment space; a first high-frequency power supply that generates radicals and ions in the non-treatment space by supplying high-frequency power that converts the first treatment gas to a plasma; a second high-frequency power supply that supplies, to the mount, high-frequency power that converts the second treatment gas to plasma, thereby generating, in the treatment space, ions and radicals that are separate from the radicals passing through the ion-trapping member into the treatment space; and a third high-frequency power supply that draws the ions generated in the treatment space towards a workpiece by supplying, to the mount, high-frequency power of a lower frequency than the high-frequency power from the second high-frequency power supply.
(FR)Selon l'invention, un dispositif de traitement au plasma comprend les éléments suivants : un réceptacle de traitement ; un élément de piégeage d'ions qui permet la traversée de radicaux, piège les ions et partage l'intérieur du réceptacle de traitement en un espace de traitement et un espace sans traitement ; un support de montage situé dans l'espace de traitement ; une unité d'alimentation en premier gaz qui fournit un premier gaz de traitement à l'espace sans traitement ; une unité d'alimentation en deuxième gaz qui fournit un deuxième gaz de traitement à l'espace de traitement ; une première alimentation électrique à haute fréquence qui produit des radicaux et des ions dans l'espace sans traitement en fournissant de l'énergie à haute fréquence qui transforme le premier gaz de traitement en plasma ; une deuxième alimentation électrique à haute fréquence qui fournit, au support de montage, de l'énergie à haute fréquence qui transforme le deuxième gaz de traitement en plasma, ce qui produit, dans l'espace de traitement, des ions et des radicaux qui sont différents des radicaux traversant l'élément de piégeage d'ions pour entrer dans l'espace de traitement ; et une troisième alimentation électrique à haute fréquence qui attire les ions produits dans l'espace de traitement vers une pièce de travail en fournissant, au support de montage, de l'énergie à haute fréquence d'une fréquence inférieure à celle de l'énergie à haute fréquence de la deuxième alimentation électrique à haute fréquence.
(JA) プラズマ処理装置は、処理容器と、処理空間と、非処理空間とに処理容器内を仕切る部材であって、ラジカルを透過し、かつ、イオンを捕捉するイオン捕捉部材と、処理空間に配置された載置台と、非処理空間に第1の処理ガスを供給する第1のガス供給部と、処理空間に第2の処理ガスを供給する第2のガス供給部と、第1の処理ガスをプラズマ化する高周波電力を供給することによって、非処理空間においてラジカル及びイオンを生成する第1の高周波電源と、第2の処理ガスをプラズマ化する高周波電力を載置台に供給することによって、イオン捕捉部材により処理空間へ透過されるラジカルとは別に、処理空間においてラジカル及びイオンを生成する第2の高周波電源と、第2の高周波電源からの高周波電力よりも周波数が低い高周波電力を載置台に供給することによって、処理空間において生成されるイオンを被処理体へ引き込む第3の高周波電源とを備えた。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)