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1. (WO2015137089) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137089    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/054768
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 20.02.2015
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KIMURA, Tetsuya; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-051299 14.03.2014 JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an acoustic wave device that has an IDT electrode having a thicker wavelength normalized thickness, in terms of aluminum (Al), than before and can be easily manufactured. This acoustic wave device (1) has an IDT electrode (3) disposed on a main surface (2a) of an LiTaO3 substrate (2) and utilizes plate wave in an SH0 mode, that is, a basic mode composed primarily of an SH wave. The wavelength normalized thickness of the LiTaO3 substrate (2) that is normalized by a frequency defined by the pitch of electrode fingers of the IDT electrode (3) of the LiTaO3 substrate (2) and the wavelength normalized thickness of the IDT electrode (3) in terms of Al satisfy either one of the combinations in table 1 shown below.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à ondes acoustiques qui a une électrode IDT ayant une épaisseur normalisée de longueur d'onde plus épaisse, en termes d'aluminium (Al), qu'avant et peut être facilement fabriqué. Ce dispositif à ondes acoustiques (1) a une électrode IDT (3) disposée sur une surface principale (2a) d'un substrat de LiTaO3 (2) et utilise une onde de plaque dans un mode SH0, c'est-à-dire, un mode de base composé principalement d'une onde SH. L'épaisseur normalisée de longueur d'onde du substrat de LiTaO3 (2) qui est normalisée par une fréquence définie par le pas de doigts d'électrode de l'électrode IDT (3) du substrat de LiTaO3 (2) et l'épaisseur normalisée de longueur d'onde de l'électrode IDT (3) en termes d'Al satisfont l'une ou l'autre des combinaisons dans le tableau 1 représenté ci-dessous. [Tableau 1]
(JA) IDT電極のAl換算波長規格化厚みが従来よりも厚く、かつ、温度特性が良好であり、製造容易な弾性波装置を提供する。 LiTaO基板2の主面2aにIDT電極3が設けられており、SH波が主体の基本モードであるSH0モードの板波を利用している、弾性波装置1。LiTaO基板2のIDT電極3の電極指ピッチで定まる波長により規格化したLiTaO基板2の波長規格化厚みと、IDT電極3のAl換算波長規格化厚みとが、下記の表1に示すいずれかの組み合わせを満たしている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)