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1. (WO2015137054) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137054    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/054248
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 17.02.2015
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KADOTA, Michio; (JP).
KIMURA, Tetsuya; (JP).
TANAKA, Shuji; (JP).
HASHIMOTO, Kenya; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-051298 14.03.2014 JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an elastic wave device with a wide band and high acoustic velocity. In the provided elastic wave device (1), a first interdigital transducer (IDT) electrode (3) is formed on a first principal surface (2a) of a LiNbO3 substrate (2), a second IDT electrode (4) is formed on a second principal surface (2b), and if alternating-current voltages opposite in phase are applied to the first and second IDT electrodes (3, 4), a plate wave in which an SH-wave high-order mode is the principal component is excited and the high-order mode in which the SH wave is the principal component is used.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à onde élastique avec une large bande et une vitesse acoustique élevée. Dans le dispositif à onde élastique (1) fourni, une première électrode (3) de transducteur interdigital (IDT) est formée sur une première surface principale (2a) d'un substrat de LiNbO3 (2), une seconde électrode IDT (4) est formée sur une seconde surface principale (2b), et si des tensions à courant alternatif en opposition de phase sont appliquées sur les première et seconde électrodes IDT (3, 4), une onde de plaque dans laquelle un mode d'ordre élevé d'onde SH est la composante principale est excitée et le mode d'ordre élevé dans lequel l'onde SH est le composante principale est utilisé.
(JA) 広帯域かつ高音速の弾性波装置を提供する。 LiNbO基板2の第1の主面2aに第1のIDT電極3が形成されており、第2の主面2bに第2のIDT電極4が形成されており、第1,第2のIDT電極3,4に逆相の交流電圧を印加した場合に、SH波の高次モードが主体となる板波が励振され、該SH波を主体とする高次モードを利用している、弾性波装置1。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)