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1. (WO2015137022) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET MÉTHODE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137022    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/053207
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 05.02.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : KATSUHARA Mao; (JP)
Mandataire : YAMAMOTO Takahisa; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-051079 14.03.2014 JP
Titre (EN) ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET MÉTHODE DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 電子デバイス及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This electronic device is provided with: a control electrode (11) formed on a base body (10); an insulating layer (21), which covers the control electrode (11), and which is formed of an organic insulating material; an active layer (12), which is formed on the insulating layer (21), and which is formed of an organic semiconductor material, said active layer having been patterned; and a first electrode (13A) and a second electrode (13B), which are formed on the active layer (12). The chemical composition of a surface of a region (A (21A)), which is an insulating layer (21) region where the active layer (12) is not formed, is different from the chemical composition of a region (B (21B)), which is an insulating layer (21) region positioned under the active layer (12).
(FR)Selon l'invention, un dispositif électronique comprend : une électrode de commande (11) formée sur un corps de base (10) ; une couche isolante (21), qui recouvre l'électrode de commande (11), et qui est constituée d'un matériau isolant organique ; une couche active (12), qui est formée sur la couche isolante (21), et qui est constituée d'un matériau semi-conducteur organique, un motif ayant été appliqué sur ladite couche active ; et une première électrode (13A) et une deuxième électrode (13B), qui sont formées sur la couche active (12). La composition chimique d'une surface d'une région (A (21A)), qui est une région de couche isolante (21) où la couche active (12) n'est pas formée, est différente de la composition chimique d'une région (B (21B)), qui est une région de couche isolante (21) positionnée sous la couche active (12).
(JA)電子デバイスは、基体10上に形成された制御電極11、制御電極11を覆う、有機絶縁材料から成る絶縁層21、絶縁層21上に形成され、有機半導体材料から成り、パターニングされた能動層12、並びに、能動層12上に形成された第1電極13A及び第2電極13Bを備えており、能動層12が形成されていない絶縁層21の領域である領域A(21A)の表面の化学的組成は、能動層12の下に位置する絶縁層21の領域である領域B(21B)の化学的組成と異なる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)