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1. (WO2015137021) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/137021    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/053197
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 05.02.2015
CIB :
H01L 43/08 (2006.01), H01F 10/12 (2006.01), H01F 10/26 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
Inventeurs : KATO Yushi; (JP).
DAIBOU Tadaomi; (JP).
MA Qinli; (JP).
SUGIHARA Atsushi; (JP).
MIZUKAMI Shigemi; (JP).
MIYAZAKI Terunobu; (JP)
Mandataire : KATSUNUMA Hirohito; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-050858 13.03.2014 JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗素子および磁気メモリ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a magnetoresistive element (1) which is provided with a first magnetic layer (2), a second magnetic layer (8), a first non-magnetic layer (4) that is arranged between the first magnetic layer and the second magnetic layer, and a third magnetic layer (3) that is arranged between the first magnetic layer and the first non-magnetic layer. The first magnetic layer contains Mn and at least one element selected from the group consisting of Ge, Ga and Al, and the third magnetic layer contains Mn2VZ (wherein V represents vanadium and Z represents at least one element selected from the group consisting of Al and Ga). This magnetoresistive element (1) has low saturation magnetization and high perpendicular magnetic anisotropy. Also provided is a magnetic memory.
(FR)L'invention concerne un élément magnétorésistif (1) qui est pourvu d'une première couche magnétique (2), d'une deuxième couche magnétique (8), d'une première couche non magnétique (4) qui est agencée entre la première couche magnétique et la deuxième couche magnétique, et d'une troisième couche magnétique (3) qui est agencée entre la première couche magnétique et la première couche non-magnétique. La première couche magnétique contient du Mn et au moins un élément choisi dans le groupe constitué de Ge, Ga et Al, et la troisième couche magnétique contient du Mn2VZ (où V représente le vanadium et Z représente au moins un élément choisi dans le groupe constitué de Al et Ga). L'élément magnétorésistif (1) a une faible aimantation à saturation et une anisotropie magnétique perpendiculaire élevée. L'invention concerne également une mémoire magnétique.
(JA) 第1磁性層(2)および第2磁性層(8)と,前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層(4)と,前記第1磁性層と前記第1非磁性層との間に設けられた第3磁性層(3)とを備え,前記第1磁性層は,Mnと,Ge,Ga,Alからなる群から選択された少なくとも1つの元素を含み,前記第3磁性層は,MnVZ(Vはバナジウム,ZはAl,Gaからなる群から選択された少なくとも1つの元素を表す)を含み,低飽和磁化,高垂直磁気異方性を有し,かつ高磁気抵抗比を得る磁気抵抗素子(1)および磁気メモリを提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)