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1. (WO2015136852) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/136852    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/000863
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 23.02.2015
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : SAITO, Takehisa; (JP).
NEMOTO, Takenao; (JP).
YAMAGISHI, Koji; (JP).
KANEKO, Hiroshi; (JP)
Mandataire : SASAKI, Seikoh; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-047308 11.03.2014 JP
2015-016383 30.01.2015 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND FILM FORMATION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) プラズマ処理装置及び成膜方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To quickly switch between gases in a dielectric-window gas channel in an electromagnetic-discharge plasma processing device, thereby increasing the speed of a process in which different types of plasma processing steps are repeated in an alternating manner in a fixed cycle, while preventing anomalous discharges inside said dielectric-window gas channel. [Solution] This plasma processing device is provided with a gas introduction mechanism for introducing processing gases supplied by a processing-gas supply unit (80) into a chamber (12), said gas introduction mechanism comprising the following three gas lines: a ceiling gas line (82) provided with a gas channel (96) and a gas jetting port (94) in a dielectric window (18); and a lower wall gas line (84) and an upper wall gas line (86) provided with gas channels (100, 108) and gas jetting ports (102, 110) at different heights in a side wall (12a) of the chamber (12). A bypass exhaust line (116) that connects a first gas supply tube (90) for the ceiling gas line (82) to an exhaust unit (55, 56) is also provided.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma à décharge électromagnétique permettant de commuter rapidement entre des gaz dans un canal de gaz de fenêtre diélectrique, ce qui permet d'augmenter la vitesse d'un procédé dans lequel différents types d'étapes de traitement au plasma sont répétées en alternance dans un cycle fixe, tout en empêchant les décharges anormales à l'intérieur du canal de gaz de la fenêtre diélectrique. Le dispositif de traitement au plasma comprend un mécanisme d'introduction de gaz pour introduire des gaz de traitement fournis par une unité d'alimentation en gaz de traitement (80) dans une chambre (12). Le mécanisme d'introduction de gaz comprend les trois conduites de gaz suivantes : une conduite de gaz supérieure (82) pourvue d'un canal de gaz (96) et d'un orifice d'éjection de gaz (94) dans une fenêtre diélectrique (18); et une conduite de gaz (84) à paroi inférieure et une conduite de gaz (86) à paroi supérieure fournies avec des canaux de gaz (100, 108) et des orifices d'éjection de gaz (102, 110) à des hauteurs différentes d'une paroi latérale (12a) de la chambre (12). L'invention concerne également une conduite d'échappement de dérivation (116) qui relie un premier tube d'alimentation en gaz (90) pour la conduite de gaz de plafond (82) à une unité d'échappement (55, 56).
(JA)【課題】電磁波放電方式のプラズマ処理装置において、誘電体窓ガス流路内の異常放電を防止しつつ、誘電体窓ガス流路内のガスの切り換えを短時間で行って、異なる種類のプラズマ処理工程を交互に一定のサイクルで繰り返すプロセスの高速化を実現する。 【解決手段】このプラズマ処理装置は、処理ガス供給部80より提供される処理ガスをチャンバ12内に導入するためのガス導入機構として、3系統のガスライン、すなわち誘電体窓18にガス流路96およびガス噴出口94を設ける天井ガスライン82と、異なる高さ位置でチャンバ12の側壁12aにガス流路100,108およびガス噴出口102,110をそれぞれ設ける下部側壁ガスライン84および上部側壁ガスライン86とを備えている。そして、天井ガスライン82の第1ガス供給管90と排気部(55,56)とを繋ぐバイパス排気ライン116を備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)