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1. (WO2015136834) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) LIÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/136834    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/000575
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 09.02.2015
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : AGA, Hiroji; (JP).
KOBAYASHI, Norihiro; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-046098 10.03.2014 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING BONDED SOI WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) LIÉE
(JA) 貼り合わせSOIウェーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This process for producing a bonded SOI wafer is characterized in that: a silicon oxide film is formed using a batch-type heat treatment furnace by conducting a thermal oxidation treatment which includes thermal oxidation during temperature rising and/or thermal oxidation during temperature declining, so that the buried oxide film in the bonded SOI wafer to be obtained after bond wafer separation has a concentric circular thickness distribution; and the bonded SOI wafer after the separation is subjected to a reducing heat treatment, thereby making the film thickness range of the buried oxide film smaller than the film thickness range of the film which has not undergone the reducing heat treatment. With this process for producing a bonded SOI wafer, it is possible to inhibit the in-plane distribution of the buried-oxide-film thicknesses from becoming uneven upon the reducing heat treatment to be conducted after the separation at the SOI layer.
(FR)Ce procédé de fabrication d'une tranche de silicium sur isolant (SOI) liée est caractérisé en ce que : un film d'oxyde de silicium est formé à l'aide d'un four de traitement thermique de type par lots en effectuant un traitement d'oxydation thermique qui comprend une oxydation thermique pendant une élévation de température et/ou une oxydation thermique pendant une diminution de température, de telle sorte que le film d'oxyde enterré dans la tranche de SOI liée à obtenir après une séparation de tranche liée possède une distribution d'épaisseur circulaire concentrique ; et la tranche de SOI liée après la séparation est soumise à un traitement thermique de réduction, ce qui rend ainsi la plage d'épaisseur de film du film d'oxyde enterré plus petite que la plage d'épaisseur de film du film qui n'a pas subi le traitement thermique de réduction. Grâce à ce procédé de fabrication d'une tranche de SOI liée, il est possible d'empêcher à la distribution dans le plan des épaisseurs de film d'oxyde enterré de devenir irrégulière dès le traitement thermique de réduction à conduire après la séparation au niveau de la couche de SOI.
(JA) 本発明は、貼り合わせSOIウェーハを製造する方法において、シリコン酸化膜を、バッチ式熱処理炉を使用して、少なくとも昇温中での熱酸化と降温中での熱酸化のいずれか一方を含む熱酸化処理を行うことにより、剥離後の貼り合わせSOIウェーハの埋め込み酸化膜が同心円形状の酸化膜厚分布となるように形成し、さらに、ボンドウェーハの剥離後の貼り合わせSOIウェーハに還元性熱処理を行うことにより、埋め込み酸化膜の膜厚レンジを還元性熱処理前の膜厚レンジよりも小さくすることを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法である。これにより、SOI層剥離後に行う還元性熱処理によって発生する埋め込み酸化膜厚の面内分布のバラツキを抑制することができる貼り合わせSOIウェーハの製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)