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1. (WO2015136832) COMPOSITION DE POLISSAGE, PROCÉDÉ DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSITION DE POLISSAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/136832    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/000490
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 04.02.2015
CIB :
C09K 3/14 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : NOJIMA, Yoshihiro; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-047399 11.03.2014 JP
Titre (EN) POLISHING COMPOSITION, POLISHING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING POLISHING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE, PROCÉDÉ DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 研磨組成物及び研磨方法並びに研磨組成物の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a polishing composition containing crystalline metal oxide particles as abrasive grains, said polishing composition being characterized in that the metal oxide particles are ones in which the half width value of a peak part at which the diffraction intensity becomes maximum in a powder X-ray diffraction pattern is smaller than 1°. Thus, provided are: a polishing composition and a polishing method, in which a high polishing rate can be achieved and the occurrence of defects such as scratching and dishing, which can cause the deterioration in reliability of a semiconductor device, can be prevented during a process for polishing a semiconductor substrate, particularly a process for chemically and mechanically polishing a semiconductor substrate having a metal layer such as a tungsten layer; and a method for producing a polishing composition.
(FR)La présente invention concerne une composition de polissage contenant des particules d'oxyde métallique cristallin en tant que grains abrasifs, ladite composition de polissage étant caractérisée en ce que les particules d'oxyde métallique sont celles pour lesquelles la valeur de demi-largeur d'une partie de pic à laquelle l'intensité de diffraction devient maximale dans un diagramme de diffraction des rayons X sur poudre est inférieure à 1°. Ainsi, l'invention concerne : une composition de polissage et un procédé de polissage, une vitesse de polissage élevée pouvant être obtenue et l'apparition de défauts tels qu'une rayure et un bombage, qui peuvent provoquer la détérioration de la fiabilité d'un dispositif à semi-conducteur, pouvant être empêchée pendant un processus de polissage d'un substrat en semi-conducteur, en particulier un processus de polissage chimique et mécanique d'un substrat en semi-conducteur ayant une couche métallique telle qu'une couche de tungstène ; et un procédé de production d'une composition de polissage.
(JA) 本発明は、砥粒として結晶性の金属酸化物粒子を含む研磨組成物であって、前記金属酸化物粒子が、粉末X線回折パターンにおける回折強度が最大となるピーク部分の半値幅が1°未満のものであることを特徴とする研磨組成物である。これにより、半導体基板の研磨工程、特にタングステン等の金属層を有する半導体基板の化学機械研磨工程において、高い研磨速度を有し、且つ半導体装置の信頼性低下の原因となるスクラッチ及びディッシング等の欠陥の発生を抑制する研磨組成物及び研磨方法並びに研磨組成物の製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)