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1. (WO2015136413) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/136413    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/051598
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 05.03.2015
CIB :
H03K 19/094 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : KOYAMA, Jun; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-048276 12.03.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)To stably control a threshold voltage of a functional circuit using an oxide semiconductor. A variable bias circuit, a monitoring oxide semiconductor transistor including a back gate, a current source, a differential amplifier, a reference voltage source, and a functional circuit which includes an oxide semiconductor transistor including a back gate are provided. The current source supplies current between a source and a drain of the monitoring oxide semiconductor transistor to generate a gate-source voltage in accordance with the current. The differential amplifier compares the voltage with a voltage of the reference voltage source, amplifies a difference, and outputs a resulting voltage to the variable bias circuit. The variable bias circuit is controlled by an output of the differential amplifier and supplies voltage to the back gate of the monitoring oxide semiconductor transistor and the back gate of the oxide semiconductor transistor included in the functional circuit.
(FR)Le but de l'invention est de commander de manière stable une tension de seuil d'un circuit fonctionnel à l'aide d'un semi-conducteur d'oxyde. Un circuit de polarisation variable, un transistor à semi-conducteurs d'oxyde de surveillance comprenant une grille arrière, une source de courant, un amplificateur différentiel, une source de tension de référence et un circuit fonctionnel qui comprend un transistor à semi-conducteurs d'oxyde comprenant une grille arrière sont fournis. La source de courant fournit un courant entre une source et un drain du transistor à semi-conducteurs d'oxyde de surveillance pour générer une tension grille-source en fonction du courant. L'amplificateur différentiel compare la tension à une tension de la source de tension de référence, amplifie une différence, et délivre une tension résultante au circuit de polarisation variable. Le circuit de polarisation variable est commandé par une sortie de l'amplificateur différentiel et fournit une tension à la grille arrière du transistor à semi-conducteurs d'oxyde de surveillance et à la grille arrière du transistor à semi-conducteurs d'oxyde inclus dans le circuit fonctionnel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)