WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015136365) COMPOSÉS DIAZADIÉNYLES HÉTÉROLEPTIQUES CONTENANT UN MÉTAL DE TRANSITION DU GROUPE 4 POUR LE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR DE FILMS CONTENANT UN MÉTAL DE TRANSITION DU GROUPE 4
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/136365    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/000562
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 12.03.2015
CIB :
C07F 7/28 (2006.01), C07F 7/00 (2006.01)
Déposants : L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR].
LANSALOT-MATRAS, Clement [FR/KR]; (KR) (US only).
LEE, Jooho [KR/KR]; (KR) (US only).
LIEFFRIG, Julien [FR/KR]; (KR) (US only)
Inventeurs : LANSALOT-MATRAS, Clement; (KR).
LEE, Jooho; (KR).
LIEFFRIG, Julien; (KR)
Données relatives à la priorité :
61/951,682 12.03.2014 US
Titre (EN) HETEROLEPTIC DIAZADIENYL GROUP 4 TRANSITION METAL-CONTAINING COMPOUNDS FOR VAPOR DEPOSITION OF GROUP 4 TRANSITION METAL-CONTAINING FILMS
(FR) COMPOSÉS DIAZADIÉNYLES HÉTÉROLEPTIQUES CONTENANT UN MÉTAL DE TRANSITION DU GROUPE 4 POUR LE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR DE FILMS CONTENANT UN MÉTAL DE TRANSITION DU GROUPE 4
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are Group 4 transition metal-containing thin film forming precursors. Also disclosed are vapor deposition methods using the disclosed precursors to deposit Group 4 transition metal-containing thin films on one or more substrates.
(FR)L'invention concerne des précurseurs filmogènes contenant un métal de transition du groupe 4. L'invention concerne également des procédés de dépôt en phase vapeur utilisant les précurseurs de l'invention pour déposer des films minces contenant un métal de transition du groupe 4 sur un ou plusieurs substrats.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)