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1. (WO2015135717) RÉSONATEUR BAW À COMPENSATION DE LA TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/135717    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/052965
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 12.02.2015
CIB :
H03H 9/17 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01)
Déposants : EPCOS AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München (DE)
Inventeurs : MARKSTEINER, Stephan; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 103 229.2 11.03.2014 DE
Titre (DE) BAW-RESONATOR MIT TEMPERATURKOMPENSATION
(EN) BAW RESONATOR HAVING TEMPERATURE COMPENSATION
(FR) RÉSONATEUR BAW À COMPENSATION DE LA TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein temperaturkompensierter BAW-Resonator (RES) vorgeschlagen, der über einem Substrat (SU) und einem akustischen Spiegel (AS) aufgebaut ist. Zwischen dem akustischen Spiegel und der untersten Elektrodenschicht (E1) ist eine Kompensationsschicht (KS) vorgesehen, die ein Material mit positiven Temperaturkoeffizienten der viskoelastischen Eigenschaften aufweist. Eine Verminderung der piezoelektrischen Kopplung durch diese Kompensationsschicht wird mit einer Gesamtschichtdicke von Kompensationsschicht und oberster Niederimpedanzschicht (LI) des akustischen Spiegels, minimiert, die ein ungerades Vielfaches von λ/4, mindestens aber 3/4 λ beträgt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Welle ist.
(EN)The invention relates to a temperature-compensated BAW resonator (RES) that is constructed over a substrate (SU) and an acoustic mirror (AS). Between the acoustic mirror and the lowermost electrode layer (E1), a compensation layer (KS) made of a material having positive temperature coefficients of the viscoelastic properties is provided. A reduction of the piezoelectric coupling due to said compensation layer is minimized by means of a total layer thickness of compensation layer and uppermost low impedance layer (Ll) of the acoustic mirror, which is an odd multiple of ƛ/4 but is at least 3/4 ƛ, wherein ƛ is the wavelength of the acoustic wave.
(FR)L'invention concerne un résonateur BAW (RES) compensé en température qui est construit à base d'un substrat (SU) et d'un miroir acoustique (AS). Entre le miroir acoustique et la couche d'électrode la plus basse (E1), est prévue une couche de compensation (KS) qui comporte une matière dont les propriétés viscoélastiques présentent un coefficient de température positif. Une réduction du couplage piézoélectrique due à cette couche de compensation est réduite à un minimum avec une épaisseur de couche totale de la couche de compensation et de la couche à faible impédance (LI) la plus élevée du miroir acoustique, qui est égale à un multiple impair de λ/4, mais au moins égale à 3/4 λ, où λ est la longueur d'onde de l'onde acoustique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)