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1. (WO2015135450) SUBSTRAT ACTIF À SPECTRE RAMAN AMPLIFIÉ EN SURFACE DE TYPE À MATRICE DE CHAMPIGNON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/135450    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/073856
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 09.03.2015
CIB :
G01N 21/65 (2006.01), B82Y 30/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01), B82Y 20/00 (2011.01)
Déposants : XIAMEN UNIVERSITY [CN/CN]; No.422 South Siming Road, Siming District Xiamen, Fujian 361000 (CN)
Inventeurs : ZHOU, Yongliang; (CN).
FAN, Haitao; (CN).
YANG, Fangzu; (CN).
ZHANG, Daxiao; (CN).
SHAN, Jiejie; (CN).
REN, Bin; (CN).
TIAN, Zhongqun; (CN)
Mandataire : SHOUCHUANG JUNHE PATENT AGENT CO.,LTD.XIAMEN; 5F, Labour Force Market Building, No.191 Changqing Road, Siming District Xiamen, Fujian 361012 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410096351.7 14.03.2014 CN
Titre (EN) MUSHROOM ARRAY TYPE SURFACE ENHANCED RAMAN SPECTRUM ACTIVE SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD
(FR) SUBSTRAT ACTIF À SPECTRE RAMAN AMPLIFIÉ EN SURFACE DE TYPE À MATRICE DE CHAMPIGNON
(ZH) 蘑菇形阵列表面增强拉曼光谱活性基底及制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A mushroom array type surface enhanced Raman spectrum active substrate (8) and a preparation method. The active substrate is a gold or silver mushroom nano-structure array. The preparation method comprises: first imprinting an ordered nano through-hole structure (6) in a photoresist on the surface of a silicon or glass substrate with a gold film by using a nano-imprinting technique (5); and then depositing metal in the nano through-hole by means of electrochemical deposition (7) and making the metal overflow the hole to form the mushroom nano-structure array. The diameter of mushroom caps is 50-300 nm, and the distance between the caps is 0-50 nm. By means of the substrate, the enhancement effect of a Raman scattering signal can be greatly improved.
(FR)La présente invention concerne un substrat actif à spectre Raman amplifié en surface de type à matrice de champignon (8) et un procédé de préparation. Le substrat actif est une puce à nanostructure de champignon en or ou en argent. Le procédé de préparation comprend : une première impression d'une structure de nanotrou de passage ordonnée (6) dans une résine photosensible sur la surface d'un substrat de silicium ou de verre avec un film d'or en utilisant une technique de nano-impression (5); et ensuite le dépôt de métal dans le nanotrou de passage au moyen d'un dépôt électrochimique (7) et la fabrication du déversement de métal du trou pour former la matrice de nanostructure de champignon. Le diamètre de capuchon en champignon est de 50 à 300 nm, et la distance entre les capuchons est de 0 à 50 nm. Au moyen du substrat, l'effet d'amplification d'un signal de diffusion Raman peut être fortement amélioré.
(ZH)一种蘑菇形阵列表面增强拉曼光谱活性基底(8)及制备方法。该活性基底为金或银蘑菇形纳米结构阵列,其制备方法为首先使用纳米压印工艺(5)在具有金薄膜的硅或玻璃基片表面的光胶压印制备有序纳米通孔结构(6),然后利用电化学沉积(7)在纳米通孔处沉积金属并使其溢出孔外,形成蘑菇纳米结构阵列,蘑菇菌盖部分的直径为50-300纳米,菌盖之间的距离为0-50纳米。该基底可大幅度提高拉曼散射信号的增强效果。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)