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1. (WO2015135248) MODULE DE SOURCE DE LUMIÈRE À DEL HAUTE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/135248    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/077368
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 13.05.2014
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 25/13 (2006.01)
Déposants : SUZHOU JINGPIN OPTICAL-ELECTRONICAL TECHNOLOGY CO. LTD. [CN/CN]; No. 558, Fenghu Road, Fenghu, Wujiang Area Suzhou, Jiangsu 215211 (CN)
Inventeurs : GAO, Ju; (CN)
Mandataire : BEIJING KEYI INTELLECTUAL PROPERTY FIRM; Hejingyuan No.1-2-502 Jimenli, Hai Dian District Beijing 100088 (CN)
Données relatives à la priorité :
2014100952211 14.03.2014 CN
Titre (EN) HIGH-POWER LED LIGHT SOURCE MODULE
(FR) MODULE DE SOURCE DE LUMIÈRE À DEL HAUTE PUISSANCE
(ZH) 大功率LED光源模块
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a high-power LED light source module, related to the technical field of semiconductor lightings. The high-power LED light source module comprises a metal substrate. A resin insulating layer and a high thermal-conductivity insulating layer are formed on the metal substrate. Also, a metal pattern circuit is formed on the resin insulating layer. A metal circuit and either a high-power LED light bulb or chip are formed on the high thermal-conductivity insulating layer. The metal pattern circuit on the resin insulating layer and the metal circuit on the high thermal-conductivity insulating layer are connected via a metal connector. Employment of the high-power LED light source module of the present invention not only involves relatively reduced costs but also provides the advantages of high thermal conductivity, resistance against aging, resistance against puncturing, and reliable performance.
(FR)La présente invention porte sur un module de source de lumière à DEL haute puissance, se rapportant au domaine technique des éclairages à semi-conducteurs. Le module de source de lumière à DEL haute puissance comprend un substrat métallique. Une couche isolante en résine et une couche isolante à conductivité thermique élevée sont formées sur le substrat métallique. Un circuit à motif métallique est également formé sur la couche isolante en résine. Un circuit métallique et soit une ampoule de lumière à DEL haute puissance soit une puce sont formés sur la couche isolante à conductivité thermique élevée. Le circuit à motif métallique sur la couche isolante en résine et le circuit métallique sur la couche isolante à conductivité thermique élevée sont connectés par l'intermédiaire d'un connecteur métallique. L'utilisation du module de source de lumière à DEL haute puissance selon la présente invention implique non seulement des coûts relativement réduits mais fournit également les avantages d'une conductivité thermique élevée, d'une résistance contre le vieillissement, d'une résistance contre la perforation et des performances fiables.
(ZH)本发明涉及一种大功率LED光源模块,属于半导体照明的技术领域,所述的大功率LED 光源模块包括金属基板,所述金属基板上形成有树脂绝缘层和高导热绝缘层,并且所述树脂绝缘层上形成有金属图案电路,所述高导热绝缘层形成有金属电路和大功率LED灯珠或者芯片,所述树脂绝缘层上的金属图案电路与所述高导热绝缘层上的金属电路通过金属连接体连接。采用本发明所述的大功率LED光源模块不仅成本相对较低而还具有高导热率、耐老化、抗击穿并且性能可靠的优点。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)