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1. (WO2015135086) POLYMÈRES À HAUTE PERMITTIVITÉ BASÉS SUR DES SILICONES FONCTIONNALISÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/135086    N° de la demande internationale :    PCT/CH2015/000040
Date de publication : 17.09.2015 Date de dépôt international : 13.03.2015
CIB :
C08G 77/392 (2006.01), H01L 41/193 (2006.01)
Déposants : EMPA EIDGENÖSSISCHE MATERIALPRÜFUNGS- UND FORSCHUNGSANSTALT [CH/CH]; Überlandstrasse 129 CH-8600 Dübendorf (CH)
Inventeurs : OPRIS, Dorina Maria; (CH).
DÜNKI, Simon; (CH).
RACLES, Carmen; (RO).
BELE, Adrian; (RO).
CAZACU, Maria; (RO)
Mandataire : E. BLUM & CO. AG; Vorderberg 11 CH-8044 Zürich (CH)
Données relatives à la priorité :
405/14 14.03.2014 CH
Titre (EN) HIGH PERMITTIVITY POLYMERS BASED ON FUNCTIONALIZED SILICONES
(FR) POLYMÈRES À HAUTE PERMITTIVITÉ BASÉS SUR DES SILICONES FONCTIONNALISÉES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to silicon-based dielectric elastomers having repeating units of formula (I) wherein R1 represents alkyl or a group -X-S-Y-Dz; X represents a spacer, S represents sulphur; Y represents a spacer and Dz represents one, two or three polar groups. The invention further relates to methods of manufacturing such elastomers by thiol-ene reactions; and to the use of such elastomers, particularly in dielectric elastomer actuators.
(FR)Cette invention concerne des élastomères diélectriques à base de silicium comportant des motifs répétitifs de formule (I) dans laquelle R1 représente un alkyle ou un groupe -X-S-Y-Dz ; X représente un espaceur, S représente un atome de soufre ; Y représente un espaceur et Dz représente un, deux ou trois groupes polaires. Des procédés de fabrication de ces élastomères par des réactions thiol-ène ; et leur utilisation, en particulier dans des actionneurs élastomère diélectriques, sont en outre décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)