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1. (WO2015134931) EMPILEMENT DE DIODES À JONCTIONS MULTIPLES À HAUTE LUMINOSITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/134931    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/019288
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 06.03.2015
CIB :
H01S 5/026 (2006.01)
Déposants : NLIGHT, INC. [US/US]; 5408 NE 88th Street Building E Vancouver, WA 98665 (US)
Inventeurs : KANSKAR, Manoj; (US)
Mandataire : MCGRATH, Ethan; (US)
Données relatives à la priorité :
61/949,224 06.03.2014 US
Titre (EN) HIGH BRIGHTNESS MULTIJUNCTION DIODE STACKING
(FR) EMPILEMENT DE DIODES À JONCTIONS MULTIPLES À HAUTE LUMINOSITÉ
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus includes at least one multijunction diode laser situated to emit a plurality of beams along respective mutually parallel propagation axes, each beam having an associated mutually parallel slow axes and associated collinear fast axes, a fast axis collimator situated to receive and collimate the plurality of beams along the corresponding fast axes so as to produce corresponding fast axis collimated beams that propagate along associated non-parallel axes, and a reflector situated to receive the plurality of fast axis collimated beams and to reflect the beams so that the reflected fast axis collimated beams propagate along substantially parallel axes.
(FR)La présente invention concerne un appareil comprenant au moins un laser à diodes à jonctions multiples disposé pour émettre une pluralité de faisceaux le long d'axes de propagation respectifs mutuellement parallèles, chaque faisceau ayant des axes lents mutuellement parallèles associés et des axes rapides colinéaires associés, un collimateur d'axe rapide disposé pour recevoir et collimater la pluralité de faisceaux le long des axes rapides correspondants de façon à produire des faisceaux collimatés d'axes rapides correspondants qui se propagent le long d'axes non parallèles, et un réflecteur disposé pour recevoir la pluralité de faisceaux collimatés d'axes rapides et pour réfléchir les faisceaux de sorte que les faisceaux collimatés d'axes rapides réfléchis se propagent le long d'axes sensiblement parallèles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)