WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015134909) TRANSISTOR LDMOS ET PROCÉDÉ DE FORMATION DU TRANSISTOR LDMOS AVEC RDS*CGD AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/134909    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/019258
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 06.03.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo, 160-8366 (JP) (JP only)
Inventeurs : CAI, Jun; (US)
Mandataire : DAVIS, Michael A., Jr.; Texas Instruments Incorporated International Patent Manager P.o. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
61/948,853 06.03.2014 US
14/556,185 30.11.2014 US
Titre (EN) LDMOS TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE LDMOS TRANSISTOR WITH IMPROVED RDS*CGD
(FR) TRANSISTOR LDMOS ET PROCÉDÉ DE FORMATION DU TRANSISTOR LDMOS AVEC RDS*CGD AMÉLIORÉE
Abrégé : front page image
(EN)In described examples, the Rds*Cgd figure of merit (FOM) of a laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor (100) is improved by forming the drain drift region (112) with a number of dopant implants at a number of depths (D1/D2), and forming a step-shaped back gate region (128) with a number of dopant implants at a number of depths (D3/D4/D5) to adjoin the drain drift region (112).
(FR)Dans des exemples décrits, la figure de mérite (FOM) Rds*Cgd d'un transistor métal oxyde semi-conducteur diffusé latéralement (LDMOS) (100) est améliorée par formation de la région de dérive de drain (112) avec un certain nombre de implantations de dopant à un certain nombre de profondeurs (D1/D2), et formation d'une région de grille arrière en forme de marche (128) avec un certain nombre de implantations de dopant à un certain nombre de profondeurs (D3/D4/D5) pour être contiguë à la région de dérive de drain (112).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)