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1. (WO2015134727) APPAREILS INCLUANT DES RÉSEAUX DE MÉMOIRE AVEC CONTACTS DE SOURCES ADJACENTS AUX BORDS DE SOURCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/134727    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/018930
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 05.03.2015
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632 (US)
Inventeurs : TANZAWA, Toru; (JP)
Mandataire : MADDEN, Robert B.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/200,348 07.03.2014 US
Titre (EN) APPARATUSES INCLUDING MEMORY ARRAYS WITH SOURCE CONTACTS ADJACENT EDGES OF SOURCES
(FR) APPAREILS INCLUANT DES RÉSEAUX DE MÉMOIRE AVEC CONTACTS DE SOURCES ADJACENTS AUX BORDS DE SOURCE
Abrégé : front page image
(EN)Various apparatuses, including three-dimensional (3D) memory devices and systems including the same, are described herein. In one embodiment, a 3D memory device can include at least two sources; at least two memory arrays respectively formed over and coupled to the at least two sources; and a source conductor electrically respectively coupled to the at least two sources using source contacts adjacent one or more edges of the source. Each of the at least two memory arrays can include memory cells, control gates, and data lines. There is no data line between an edge of a source and the source contacts adjacent the edge.
(FR)L'invention concerne divers appareils, notamment des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) et des systèmes les comprenant. Dans un mode de réalisation, un dispositif de mémoire 3D peut inclure au moins deux sources; au moins deux réseaux de mémoire formés respectivement sur les au moins deux sources et couplés à celles-ci; et un conducteur de source électriquement couplé respectivement aux au moins deux sources à l'aide des contacts de source adjacents à un ou plusieurs bords de la source. Chacun des au moins deux réseaux de mémoire peut inclure des cellules de mémoire, des grilles de commande et des lignes de données. Aucun ligne de données n'est présente entre un bord d'une source et les contacts de source adjacents au bord.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)