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1. (WO2015134398) PROCÉDÉ D'AMÉLIORATION DE TAUX DE NUCLÉATION DE FILM À CONSTANTE K ÉLEVÉE ET DE MOBILITÉ ÉLECTRIQUE DANS UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS PAR TRAITEMENT AU PLASMA MICRO-ONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/134398    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/018333
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 02.03.2015
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventeurs : TAPILY, Kandabara N.; (US).
CLARK, Robert D.; (US)
Mandataire : LUDVIKSSON, Audunn; (US)
Données relatives à la priorité :
61/946,829 02.03.2014 US
61/986,995 01.05.2014 US
Titre (EN) METHOD OF ENHANCING HIGH-k FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT
(FR) PROCÉDÉ D'AMÉLIORATION DE TAUX DE NUCLÉATION DE FILM À CONSTANTE K ÉLEVÉE ET DE MOBILITÉ ÉLECTRIQUE DANS UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS PAR TRAITEMENT AU PLASMA MICRO-ONDE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a semiconductor device is provided in several embodiments. According to one embodiment, the method includes providing a substrate in a process chamber, flowing a process gas consisting of hydrogen (H2) and optionally a noble gas into the process chamber, forming plasma excited species from the process gas by a microwave plasma source. The method further includes exposing an interface layer on the substrate to the plasma excited species to form a modified interface layer, and depositing a high dielectric constant (high-k) film by atomic layer deposition (ALD) on the modified interface layer. In some embodiments, the modified interface layer has higher electrical mobility than the interface layer, and the high-k film nucleates at a higher rate on the modified interface layer rate than on the interface layer.
(FR)Un procédé pour former un dispositif à semi-conducteurs est fourni dans plusieurs modes de réalisation de l'invention. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la fourniture d'un substrat dans une chambre de traitement, l'écoulement d'un gaz de traitement constitué d'hydrogène (H2) et facultativement d'un gaz noble dans la chambre de traitement, la formation d'espèces excitées par plasma à partir du gaz de traitement par une source de plasma micro-onde. Le procédé consiste en outre à exposer une couche d'interface sur le substrat aux espèces excitées par plasma pour former une couche d'interface modifiée, et à déposer un film à constante diélectrique élevée (k élevée) par dépôt de couche atomique (ALD) sur la couche d'interface modifiée. Selon certains modes de réalisation, la couche d'interface modifiée a une plus grande mobilité électrique que la couche d'interface, et le film à constante k élevée est nucléé à un taux plus élevé sur la couche d'interface modifiée que sur la couche d'interface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)