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1. (WO2015134108) ENSEMBLE DE DÉPOT PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE À FAISCEAU IONIQUE, SYSTÈME DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE DÉPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/134108    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/000023
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 09.02.2015
CIB :
C23C 14/00 (2006.01)
Déposants : WHITE, Nicholas, R. [US/US]; (US)
Inventeurs : WHITE, Nicholas, R.; (US)
Mandataire : PRASHKER, David; (US)
Données relatives à la priorité :
61/966,808 04.03.2014 US
Titre (EN) ION BEAM SPUTTER DEPOSITION ASSEMBLY, SPUTTERING SYSTEM, AND SPUTTER METHOD OF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) ENSEMBLE DE DÉPOT PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE À FAISCEAU IONIQUE, SYSTÈME DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE DÉPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a superior ion beam sputtering system, assembly and methodology, with unique capabilities for film coating the exposed surface(s) of a workpiece or substrate by physical vapor deposition. The system can have far higher throughput than existing ion beam sputtering systems, while being constructed as a drop-in module, giving it a flexibility more typically found in magnetron systems. The operational system generates and initially extracts a ribbon shaped ion beam, typically of argon, whose breadth can be extended from about 150 mm to about 3 meters; then accelerates, deflects, and then decelerates the beam to form a spacecharge neutralized high current very broad ribbon ion beam; directs this resulting ion beam to strike the exposed face surface of a sputter target at a pre-chosen oblique incidence angle near 70 degrees; and consequently q: wises the formation and release of a plume of sputtered atoms from the target.
(FR)L'invention concerne un système de pulvérisation cathodique à faisceau ionique amélioré, un ensemble et une méthodologie, présentant des capacités uniques de revêtement par film de la ou des surfaces exposées d'une pièce à travailler ou d'un substrat par dépôt physique en phase vapeur. Le système peut présenter un débit largement supérieur à des systèmes de pulvérisation cathodiques à faisceau ionique existants, tout en étant construit comme un module de chute, lui conférant une flexibilité que l'on trouve plus généralement dans des systèmes de magnétron. Le système d'exploitation génère et extrait d'abord un faisceau ionique en forme de ruban, généralement en argon, dont la largeur peut être étendue d'environ 150 mm à environ 3 mètres ; puis accélère, dévie et ensuite décélère le faisceau pour former un faisceau ionique de ruban très large à courant élevé neutralisé de charge d'espace ; dirige ce faisceau ionique résultant pour frapper la surface de face exposée d'une cible de pulvérisation cathodique à un angle d'incidence oblique pré-choisi proche de 70 degrés ; et, par conséquent : permet la formation et la libération d'un panache d'atomes pulvérisés cathodiquement à partir de la cible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)