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1. (WO2015134082) VTFT À NOYAU POLYMÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/134082    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/070332
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 15.12.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street Rochester, NY 14650-2201 (US)
Inventeurs : ELLINGER, Carolyn, R.; (US).
NELSON, Shelby, F.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/198,628 06.03.2014 US
14/198,658 06.03.2014 US
Titre (EN) VTFT WITH POLYMER CORE
(FR) VTFT À NOYAU POLYMÈRE
Abrégé : front page image
(EN)A transistor includes a polymeric material post on a substrate. An inorganic material cap, covering the post, extends beyond an edge of the post to define a reentrant profile. A conformal conductive material gate layer is over the edge of the post in the reentrant profile. A conformal insulating material layer is on the gate layer in the reentrant profile. A conformal semiconductor material layer is on the insulating material layer in the reentrant profile. A first electrode is in contact with a first portion of the semiconductor layer over the cap. A second electrode is in contact with a second portion of the semiconductor layer over the substrate and not over the post, and adjacent to the edge of the post in the reentrant profile such that a distance between the first electrode and second electrode is greater than zero when measured orthogonally to the substrate surface.
(FR)L'invention concerne un transistor qui inclut une perche de matériau polymère sur un substrat. Un couvercle de matériau inorganique, recouvrant la perche, s'étend au-delà d'un bord de la perche pour définir un profil concave. Une couche de grille en matériau conducteur conforme est située au-dessus du bord de la perche dans le profil concave. Une couche de matériau isolant conforme est située sur la couche de grille dans le profil concave. Une couche de matériau semi-conducteur conforme est située sur la couche de matériau isolant dans le profil concave. Une première électrode est en contact avec une première partie de la couche semi-conductrice au-dessus du couvercle. Une deuxième électrode est en contact avec une deuxième partie de la couche semi-conductrice au-dessus du substrat et pas au-dessus de la perche, et adjacente au bord de la perche dans le profil concave de sorte qu'une distance entre la première électrode et la deuxième électrode est supérieure à zéro lorsqu'elle est mesurée orthogonalement à la surface du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)