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1. (WO2015134049) DISPOSITIFS PIÉZO-ÉLECTRIQUES MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUES À DEUX EMPILEMENTS PIÉZOÉLECTRIQUES SYMÉTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/134049    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/035318
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 24.04.2014
CIB :
H01L 41/00 (2013.01)
Déposants : MICROGEN SYSTEMS, INC. [US/US]; 150 Lucius Gordon Drive, Suite 110 West Henrietta, NY 14586 (US)
Inventeurs : ANDOSCA, Robert, G.; (US).
VAETH, Kathleen, M.; (US).
LACROIX, Didier; (US)
Mandataire : SMITH, Bryan C.; LeClairRyan, A Professional Corporation 70 Linden Oaks, Suite 210 Rochester, NY 14625 (US)
Données relatives à la priorité :
14/201,293 07.03.2014 US
Titre (EN) SYMMETRIC DUAL PIEZOELECTRIC STACK MICROELECTROMECHANICAL PIEZOELECTRIC DEVICES
(FR) DISPOSITIFS PIÉZO-ÉLECTRIQUES MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUES À DEUX EMPILEMENTS PIÉZOÉLECTRIQUES SYMÉTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a device comprising an elongate resonator beam extending between first and second ends. A base is connected to the resonator beam at the first end with the second end extending from the base as a structural layer. The elongate resonator beam comprises either: (1) a first oxide layer on a first piezoelectric stack layer over a structural layer on a second oxide layer over a second piezoelectric stack layer on a third oxide layer or (2) a first oxide layer on a first piezoelectric stack layer over a second oxide layer on a structural layer over a third oxide layer on a second piezoelectric stack over a fourth oxide layer. Also disclosed is a system comprising an apparatus and the device, as well as methods of making and using the device.
(FR)La présente invention concerne un dispositif comprenant une poutre allongée formant résonateur, s'étendant d'une première à une seconde extrémité. Une base est reliée à la première extrémité de la poutre formant résonateur, la seconde extrémité s'avançant depuis la base sous forme d'une couche structurale. La poutre allongée formant résonateur comprend soit (1) une première couche d'oxyde formée sur une première couche d'empilement piézoélectrique recouvrant une couche structurale recouvrant une seconde couche d'empilement piézoélectrique formée sur une troisième couche d'oxyde, soit (2) une première couche d'oxyde formée sur une première couche piézoélectrique recouvrant une seconde couche d'oxyde formée sur une couche structurale recouvrant une troisième couche d'oxyde formée sur une seconde couche d'empilement piézoélectrique recouvrant une quatrième couche d'oxyde. L'invention concerne également un système comprenant un appareil et ce dispositif, ainsi que des procédés de fabrication et d'utilisation dudit dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)