WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015134035) DISPOSITIFS À MÉMRISTOR POURVU D'UNE GAINE THERMO-ISOLANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/134035    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/021598
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 07.03.2014
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US)
Inventeurs : GIBSON, Gary; (US).
HENZE, Richard; (US).
JACKSON, Warren; (US).
JEON, Yoocharn; (US)
Mandataire : COLLINS, David W.; Hewlett Packard Enterprise 3404 E. Harmony Road Mail Stop 79 Fort Collins, CO 80528 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEMRISTOR DEVICES WITH A THERMALLY-INSULATING CLADDING
(FR) DISPOSITIFS À MÉMRISTOR POURVU D'UNE GAINE THERMO-ISOLANTE
Abrégé : front page image
(EN)A memristor device with a thermally-insulating cladding includes a first electrode, a second electrode, a memristor, and a thermally-insulating cladding. The memristor is coupled in electrical series between the first electrode and the second electrode. The thermally-insulating cladding surrounds at least a portion of the memristor.
(FR)Dispositif à mémristor pourvu d'une gaine thermo-isolante, comprenant une première électrode, une seconde électrode, un mémristor et une gaine thermo-isolante. Le mémristor est couplé en série électrique entre la première électrode et la seconde électrode. La gaine thermo-isolante entoure au moins une partie du mémristor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)