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1. (WO2015133630) FILM DE DÉMOULAGE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN BOÎTIER À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133630    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056732
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 06.03.2015
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), B29C 33/68 (2006.01), B29C 43/18 (2006.01), B29C 45/14 (2006.01), B32B 27/00 (2006.01), B32B 27/18 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP)
Inventeurs : KASAI, Wataru; (JP).
SUZUKI, Masami; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-045460 07.03.2014 JP
Titre (EN) MOLD RELEASE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE
(FR) FILM DE DÉMOULAGE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN BOÎTIER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 離型フィルム、その製造方法、および半導体パッケージの製造方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided are a mold release film, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a semiconductor package using the mold release film. The mold release film is not easily charged and curled, does not contaminate a mold, and has excellent mold followability. In a method for manufacturing a semiconductor package in which a semiconductor element is arranged in a mold and the mold is sealed with a curable resin, thereby forming a resin-sealed portion, the mold release film is arranged on a surface with which the curable resin on the mold is in contact. The mold release film is provided with a first thermoplastic resin layer being in contact with the curable resin during the formation of the resin-sealed portion, a second thermoplastic resin layer being in contact with the mold during the formation of the resin-sealed portion, and an intermediate layer being arranged between the first thermoplastic resin layer and the second thermoplastic resin layer. The storage elastic moduli of the first thermoplastic resin layer and the second thermoplastic resin layer at 180°C are respectively 10-300 MPa, the difference in the storage elastic modulus at 25°C is 1,200 MPa or less, the thickness is 12-50 μm, and the intermediate layer includes a polymeric antistatic agent.
(FR) La présente invention concerne un film de démoulage, son procédé de fabrication, et un procédé de fabrication d'un boîtier à semi-conducteur mettant en œuvre ledit film de démoulage. Ledit film de démoulage n'est pas facilement chargé et gondolé, il ne contamine pas un moule, et présente une excellente capacité de conformation au moule. Un procédé de fabrication d'un boîtier à semi-conducteur selon l'invention consiste à disposer un élément semi-conducteur dans un moule et sceller le moule avec une résine durcissable, de façon à former une partie scellée par résine, ledit film de démoulage étant disposé sur une surface avec laquelle entre en contact la résine durcissable sur le moule. Ledit film de démoulage est doté d'une première couche de résine thermoplastique en contact avec la résine durcissable pendant la formation de la partie scellée par résine, une seconde couche de résine thermoplastique en contact avec le moule pendant la formation de la partie scellée par résine, et une couche intermédiaire étant agencée entre la première couche de résine thermoplastique et la seconde couche de résine thermoplastique. Les modules d'élasticité de stockage de la première couche de résine thermoplastique et de la seconde couche de résine thermoplastique à 180 °C sont respectivement de 10 à 300 MPa, la différence du module d'élasticité de stockage à 25 °C étant inférieure ou égale à 1 200 MPa, l'épaisseur allant de 12 à 50 µm, et la couche intermédiaire comprenant un agent antistatique polymère.
(JA) 帯電およびカールが生じにくく、金型を汚さず、かつ金型追従性に優れる離型フィルム、その製造方法、および前記離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法の提供。 半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型の硬化性樹脂が接する面に配置される離型フィルムであって、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第1の熱可塑性樹脂層と、樹脂封止部の形成時に金型と接する第2の熱可塑性樹脂層と、第1の熱可塑性樹脂層と第2の熱可塑性樹脂層との間に配置された中間層とを備え、第1の熱可塑性樹脂層および第2の熱可塑性樹脂層それぞれの180℃における貯蔵弾性率が10~300MPaで、25℃における貯蔵弾性率の差が1,200MPa以下で、厚さが12~50μmであり、中間層が高分子系帯電防止剤を含有する層を含む離型フィルム。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)