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1. (WO2015133443) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III ET APPAREIL ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133443    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056130
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 03.03.2015
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 19/02 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/208 (2006.01)
Déposants : OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP).
ITOCHU PLASTICS INC. [JP/JP]; 1-12-1, Dohgenzaka, Shibuya-ku, Tokyo 1508525 (JP).
PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventeurs : MORI Yusuke; (JP).
YOSHIMURA Masashi; (JP).
IMADE Mamoru; (JP).
ISEMURA Masashi; (JP).
OKAYAMA Yoshio; (JP)
Mandataire : TSUJIMARU Koichiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-041078 03.03.2014 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND APPARATUS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III ET APPAREIL ASSOCIÉ
(JA) III族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶製造装置
Abrégé : front page image
(EN) The purpose of the present invention is to produce, by vapor phase epitaxy, group III nitride crystals of large size, and of high quality containing negligible defects such as strain, dislocation, warpage, and the like. The production process is characterized by including a first group III nitride crystal production step for producing first group III nitride crystals (1003) by liquid phase epitaxy, and a second group III nitride crystal production step for reacting a group III elemental metal, an oxidant, and a nitrogen-containing gas by vapor phase epitaxy on the first crystals (1003), producing second group III nitride crystals (1004); wherein the first group III nitride crystal production step involves bringing the surfaces of a plurality of group III nitride seed crystals (1003a) prepared in advance into contact with an alkali metal melt, and in a nitrogen-containing environment, reacting a group III element and the nitrogen within the alkali metal melt to grow a plurality of group III nitride crystals from the plurality of seed crystals (1003a), thereby joining the plurality of group III nitride crystals into the first crystals (1003).
(FR) L'objet de cette invention est de produire, par épitaxie en phase vapeur, des cristaux de nitrure du groupe III de grande taille, et de qualité élevée contenant des quantités négligeables de défauts de type déformation, dislocation, gauchissement, et autres. Le procédé de production selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend une première étape de production de cristaux de nitrure du groupe III pour obtenir des premiers cristaux de nitrure du groupe III (1003) par épitaxie en phase liquide, et une seconde étape de production de cristaux de nitrure du groupe III consistant à faire réagir un métal élémentaire du groupe III, un oxydant, et un gaz contenant de l'azote par épitaxie en phase vapeur sur les premiers cristaux (1003), pour obtenir des seconds cristaux de nitrure du groupe III (1004). La première étape de production de cristaux de nitrure du groupe III implique la mise en contact des surfaces d'une pluralité de germes de nitrure du groupe III (1003a) préparés à l'avance avec une masse fondue de métal alcalin, et dans un environnement contenant de l'azote, la réaction d'un élément du groupe III et de l'azote dans la masse fondue de métal alcalin pour faire croître une pluralité de cristaux de nitrure de groupe III à partir de la pluralité de germes (1003a), pour incorporer ainsi la pluralité de cristaux de nitrure du groupe III dans les premiers cristaux (1003).
(JA) 気相成長法により大サイズで、かつ、歪み、転位、反り等の欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を製造する。 液相成長法により第1のIII族窒化物結晶1003を製造する第1のIII族窒化物結晶製造工程と、 第1の結晶1003上に、気相成長法によりIII族元素金属と、酸化剤と、窒素含有ガスとを反応させて、第2のIII族窒化物結晶1004を製造する第2のIII族窒化物結晶製造工程とを含み、 前記第1のIII族窒化物結晶製造工程は、 予め準備されたIII族窒化物の複数の種結晶1003aの表面をアルカリ金属融液に接触させ、 窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とを前記アルカリ金属融液中で反応させ、複数の種結晶1003aから成長した複数のIII族窒化物結晶の成長により、前記複数のIII族窒化物結晶を結合させて第1の結晶1003とすることを特徴とする製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)