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1. (WO2015133420) FEUILLE DE TRAITEMENT D'ÉLÉMENTS DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE METTANT EN ŒUVRE LADITE FEUILLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133420    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056042
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 02.03.2015
CIB :
H01L 21/301 (2006.01), C09J 4/00 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01), C09J 201/02 (2006.01)
Déposants : LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001 (JP)
Inventeurs : KOMA, Yosuke; (JP).
NISHIDA, Takuo; (JP).
SAKAMOTO, Misaki; (JP)
Mandataire : HAYAKAWA, Yuzi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-041020 03.03.2014 JP
Titre (EN) SHEET FOR SEMICONDUCTOR-RELATED-MEMBER PROCESSING AND PROCESS FOR PRODUCING CHIP USING SAID SHEET
(FR) FEUILLE DE TRAITEMENT D'ÉLÉMENTS DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE METTANT EN ŒUVRE LADITE FEUILLE
(JA) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a sheet for semiconductor-related-member processing which can more stably have enhanced releasability and by which members equipped with chips produced from a semiconductor-related member using the sheet for semiconductor-related-member processing can be more stably rendered less apt to decrease in reliability. The sheet (1) for semiconductor-related-member processing comprises a base (2) and a pressure-sensitive adhesive layer (3) formed on one surface of the base (2), wherein the pressure-sensitive adhesive layer (3) comprises one or more energy-ray-polymerizable compounds having an energy-ray-polymerizable functional group, at least one of the energy-ray-polymerizable compounds being a polymerizable branched polymer that is a polymer having a branched structure. When this sheet (1) for semiconductor-related-member processing is applied to a mirror surface of a silicon wafer so that the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (3) thereof comes into contact with the mirror surface, subsequently irradiated with energy rays to reduce the pressure-sensitive adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer (3) relative to the mirror surface of the silicon wafer, and then peeled from the silicon wafer, then the mirror surface of the silicon wafer to which the sheet (1) for semiconductor-related-member processing was adherent has a contact angle of 40° or less, measured using a water droplet in a 25°C environment having a relative humidity of 50%.
(FR)La présente invention concerne une feuille de traitement d'éléments de type semi-conducteur qui peut présenter une capacité de libération améliorée et plus stable et permettant de stabiliser la fiabilité d'éléments équipés de puces produites à partir d'un élément de type semi-conducteur au moyen de la feuille de traitement d'éléments de type semi-conducteur. Ladite feuille (1) de traitement d'éléments de type semi-conducteur comprend une base (2) et une couche adhésive sensible à la pression (3) formée sur une surface de la base (2). Ladite couche adhésive sensible à la pression (3) comprend un ou plusieurs composés polymérisables par rayonnement d'énergie comprenant un groupe fonctionnel polymérisable par rayonnement d'énergie, au moins l'un desdits composés polymérisables par rayonnement d'énergie étant un polymère ramifié polymérisable qui est un polymère présentant une structure ramifiée. Lorsque ladite feuille (1) de traitement d'éléments de type semi-conducteur est appliquée à une surface de miroir d'une tranche de silicium de sorte que la surface sa couche adhésive sensible à la pression (3) entre en contact avec la surface de miroir, et qu'elle est par la suite irradiée d'un rayonnement d'énergie pour réduire l'adhésivité par pression de la couche adhésive sensible à la pression (3) par rapport à la surface de miroir de la tranche de silicium, et qu'elle est ensuite pelée de la tranche de silicium, alors la surface de miroir de la tranche de silicium à laquelle était collée la feuille (1) de traitement d'éléments de type semi-conducteur présente un angle de contact inférieure ou égal à 40° tel que mesuré par gouttelette d'eau dans un environnement à 25 °C présentant une humidité relative de 50 %.
(JA)半導体関連部材加工用シートの剥離性を高めることと、半導体関連部材加工用シートを用いて半導体関連部材から製造したチップを備える部材の信頼性が低下しにくくなることとを、より安定的に達成しうる半導体関連部材加工用シートとして、基材(2)と、基材(2)の一方の面の上方に設けられた粘着剤層(3)とを備えた半導体関連部材加工用シート(1)であって、粘着剤層(3)は、エネルギー線重合性官能基を有するエネルギー線重合性化合物を含有し、エネルギー線重合性化合物の少なくとも1種は、分岐構造を有する重合体である重合性分岐重合体であり、半導体関連部材加工用シート(1)の粘着剤層(3)側の面を、シリコンウエハの鏡面に貼付し、半導体関連部材加工用シート(1)にエネルギー線を照射して、シリコンウエハの鏡面に対する粘着剤層(3)の粘着性を低下させた後、半導体関連部材加工用シート(1)をシリコンウエハから剥離して得られる、シリコンウエハにおける半導体関連部材加工用シート(1)が貼着していた鏡面を測定対象面として、25℃、相対湿度50%の環境下で、水滴を用いて測定された接触角が40°以下である半導体関連部材加工用シートが提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)