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1. (WO2015133391) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133391    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055806
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 27.02.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), G03F 7/22 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : NAKAMURA Seigo; (JP)
Mandataire : WATANABE Mochitoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-045244 07.03.2014 JP
Titre (EN) TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR
(JA) トランジスタの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In transistor manufacture of the present invention, a film substrate having three or more alignment marks formed thereon is used, the alignment marks are detected, and corresponding to results of the detection, a substrate expansion/contraction control is performed one or more times. Consequently, in the manufacture of a transistor having a film as a substrate, transistor constituting members, such as a source electrode and a drain electrode, can be formed without a pattern shift due to substrate expansion/contraction caused by an environmental change.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de transistor. Dans ledit procédé, on utilise un substrat film sur lequel sont formés au moins trois repères d'alignement, les repères d'alignement sont détectés, et en fonction des résultats de la détection, une commande d'expansion/de contraction de substrat est effectuée une ou plusieurs fois. Par conséquent, dans la fabrication d'un transistor qui comporte un film en tant que substrat, des éléments qui constituent un transistor, tels qu'une électrode source et une électrode drain, peuvent être formés sans décalage de motif dû à une expansion/contraction de substrat entraînée par un changement d'environnement.
(JA) トランジスタの製造において、3個以上のアライメントマークが形成されたフィルム基板を用い、アライメントマークを検出して、その検出結果に応じて、基板の伸縮を制御する処理を1回以上行う。これにより、フィルムを基板とするトランジスタの製造において、環境変化に起因する基板の伸縮によらず、ソース電極やドレイン電極等のトランジスタの構成部材をパターンズレなく形成できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)