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1. (WO2015133375) TRANSISTOR ORGANIQUE À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133375    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055707
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 26.02.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : TAKIZAWA, Hiroo; (JP).
NIORI, Teruki; (JP).
YONEKUTA, Yasunori; (JP).
HIRANO, Syuji; (JP)
Mandataire : IIDA, Toshizo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-040903 03.03.2014 JP
Titre (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) An organic thin film transistor having a gate electrode, an organic semiconductor layer, a gate insulation layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate, wherein the organic semiconductor layer contains an organic semiconductor and a resin (C) having one or more groups selected from the group consisting of a group having a fluorine atom, a group having a silicon atom, an alkyl group having one or more carbon atoms or in the case of an alkoxycarbonyl group, two or more carbon atoms, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryloxycarbonyl group, an aromatic ring group substituted with at least one alkyl group, and an aromatic ring group substituted with at least one cycloalkyl group. In addition, a method for manufacturing an organic thin film transistor in which an application liquid containing the organic semiconductor and the resin (C) is applied and the resin (C) is caused to be unevenly distributed.
(FR) L'invention concerne un transistor organique à film mince comprenant une électrode de gâchette, une couche en semiconducteur organique, une couche d'isolation de gâchette, une électrode de source et une électrode de drain sur un substrat. La couche en semiconducteur organique contient un semiconducteur organique et une résine (C) possédant un ou plusieurs groupes choisis dans le groupe constitué d'un groupe ayant un atome de fluor, un groupe ayant un atome de silicium, un groupe alkyle ayant un ou plusieurs atomes de carbone ou, dans le cas d'un groupe alcoxycarbonyle, deux ou plusieurs atomes de carbone, un groupe cycloalkyle, un groupe aralkyle, un groupe aryloxycarbonyle, un groupe noyau aromatique substitué par au moins un groupe alkyle, et un groupe noyau aromatique substitué par au moins un groupe cycloalkyle. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un transistor organique à film mince dans lequel un liquide d'application contenant le semiconducteur organique et la résine (C) est appliqué et la résine (C) est amenée à être distribuée de façon inégale.
(JA) 基板上にゲート電極、有機半導体層、ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタであって、有機半導体層が、有機半導体と、フッ素原子を有する基、ケイ素原子を有する基、炭素数1以上、アルコキシカルボニル基の場合は炭素数2以上のアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリールオキシカルボニル基、少なくとも1個のアルキル基で置換された芳香環基及び少なくとも1個のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される1つ以上の基を有する樹脂(C)とを含む有機薄膜トランジスタ、並びに、有機半導体と樹脂(C)を含有する塗布液を塗布して樹脂(C)を偏在させる有機薄膜トランジスタの製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)