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1. (WO2015133371) TRANSISTOR À FILM MINCE ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133371    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055703
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 26.02.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : NIORI, Teruki; (JP)
Mandataire : IIDA, Toshizo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-045169 07.03.2014 JP
Titre (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À FILM MINCE ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)A top-gate organic thin film transistor which comprises: a substrate; an alignment layer arranged on the substrate; an organic semiconductor layer arranged on the alignment layer; a gate insulating layer arranged on the organic semiconductor layer; a gate electrode arranged on the gate insulating layer; and a source electrode and a drain electrode, which are arranged in contact with the organic semiconductor layer and are connected to each other via the organic semiconductor layer. In this organic thin film transistor, the alignment layer is obtained by aligning a discotic liquid crystalline compound.
(FR)La présente invention concerne un transistor à film mince organique de porte supérieure, ledit transistor comprenant : un substrat ; une couche d'alignement disposée sur le substrat ; une couche à semi-conducteur organique disposée sur la couche d'alignement ; une couche d'isolation de porte disposée sur la couche à semi-conducteur organique ; une électrode porte disposée sur la couche d'isolation de porte ; et une électrode source et une électrode drain, qui sont agencées en contact avec la couche à semi-conducteur organique et sont connectées l'une à l'autre par l'intermédiaire de la couche à semi-conducteur organique. Dans ce transistor à couche mince organique, la couche d'alignement est obtenue par l'alignement d'un composé cristallin liquide discotique.
(JA) 基板と、基板上に設けられた配向層と、配向層上に設けられた有機半導体層と、有機半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、有機半導体層に接して設けられ、有機半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有するトップゲート型有機薄膜トランジスタであって、 配向層が、円盤状液晶性化合物を配向してなる層である、有機薄膜トランジスタ。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)