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1. (WO2015133370) SUBSTRAT RÉFLÉCHISSANT LES INFRAROUGES ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133370    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055702
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 26.02.2015
CIB :
G02B 5/26 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Shimohozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
Inventeurs : WATANABE, Masahiko; (JP).
OHMORI, Yutaka; (JP)
Mandataire : SHINTAKU, Masato; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-040906 03.03.2014 JP
Titre (EN) INFRARED REFLECTING SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT RÉFLÉCHISSANT LES INFRAROUGES ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
(JA) 赤外線反射基板およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This infrared reflecting substrate (100) sequentially comprises, on a transparent base (10), a first metal oxide layer (21), a second metal oxide layer (22) and a metal layer (30) in this order. The second metal oxide layer (22) and the metal layer (30) are in direct contact with each other. The first metal oxide layer (21) has a refractive index of 2.2 or more. It is preferable that the second metal oxide layer (22) is formed of a metal oxide that contains tin oxide and zinc oxide, while having an oxygen content smaller than that of the stoichiometric composition. The second metal oxide layer is preferably formed by a direct current sputtering method. A target which contains zinc atoms and tin atoms and is obtained by sintering a metal powder and zinc oxide and/or tin oxide is preferably used for the formation of the second metal oxide layer. It is preferable that the oxygen concentration in a gas to be introduced into a sputtering film formation chamber is 8% by volume or less. The present invention enables the achievement of an infrared reflecting substrate having high visible light transmittance and excellent durability.
(FR)La présente invention concerne un substrat (100) réfléchissant les infrarouges, qui comporte successivement, sur une base transparente (10), une première couche (21) d'oxyde métallique, une deuxième couche (22) d'oxyde métallique et une couche (30) de métal, dans cet ordre. La deuxième couche (22) d'oxyde métallique et la couche (30) de métal sont en contact direct entre elles. La première couche (21) d'oxyde métallique présente un indice de réfraction d'au moins 2,2. Il est préférable que la deuxième couche (22) d'oxyde métallique soit formée d'un oxyde métallique contenant de l'oxyde d'étain et de l'oxyde de zinc, tout en présentant une teneur en oxygène inférieure à celle de la composition stœchiométrique. La deuxième couche d'oxyde métallique est de préférence formée par un procédé de projection à courant continu. Une cible qui contient des atomes de zinc et des atomes d'étain et qui est obtenue par frittage d'une poudre métallique et d'oxyde de zinc et/ou d'oxyde d'étain est de préférence utilisée pour la formation de la deuxième couche d'oxyde métallique. Il est préférable que la concentration d'oxygène dans un gaz appelé à être introduit dans une chambre de formation de film par projection soit d'au plus 8% en volume. La présente invention permet la réalisation d'un substrat réfléchissant les infrarouges présentant un facteur élevé de transmission de la lumière visible et une excellente durabilité.
(JA) 本発明の赤外線反射基板(100)は、透明基材(10)上に、第一金属酸化物層(21)、第二金属酸化物層(22)および金属層(30)をこの順に備え、第二金属酸化物層(22)と金属層(30)とが直接接している。第一金属酸化物層(21)は、屈折率が2.2以上である。第二金属酸化物層(22)は、酸化錫および酸化亜鉛を含有し、酸素量が化学量論組成に対して不足している金属酸化物からなることが好ましい。第二金属酸化物層は、直流スパッタ法により成膜されることが好ましい。第二金属酸化物層の成膜には、亜鉛原子および錫原子を含有し、酸化亜鉛と酸化錫のうち少なくとも一方の金属酸化物と金属粉末とが焼結されたターゲットが好ましく用いられる。スパッタ成膜室内に導入されるガス中の酸素濃度は、8体積%以下が好ましい。本発明によれば、可視光の透過率が高く、かつ耐久性に優れる赤外線反射基板が得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)