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1. (WO2015133290) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133290    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/054614
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 19.02.2015
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416025 (JP)
Inventeurs : SUZUKI, Takaomi; (JP).
SAKAMOTO, Masaki; (JP)
Mandataire : KITAYAMA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-044494 07.03.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A first injection region is formed by injecting a first dopant of a first conduction type into a surface layer portion of an IGBT section on a semiconductor substrate. A second injection region is formed by injecting a second dopant of a second conduction type into a region of the IGBT section at a shallower location than the first injection region. An amorphous third injection region is formed by injecting into the surface layer portion of a diode section a third dopant of the first conduction type at a higher concentration than the second dopant. Thereafter, the IGBT section and the diode section are laser-annealed under conditions where the third injection region melts partially and the first dopant is activated. Thereafter, the IGBT section and the diode section are annealed with a pulsed laser beam having a short pulse-width, whereby a surface layer portion at a shallower location than the second injection region is caused to melt and crystallize in the entire region comprising the IGBT section and the diode section. This allows for an activation of the dopants in the deep regions, and a suppression of the occurrence of surface roughness.
(FR)La présente invention concerne une première région d'injection, formée par injection d'un premier dopant d'un premier type de conduction dans une partie de couche de surface d'une section IGBT sur un substrat à semi-conducteurs. Une deuxième région d'injection est formée par injection d'un deuxième dopant d'un second type de conduction dans une région de la section IGBT au niveau d'un emplacement moins profond que la première région d'injection. Une troisième région d'injection amorphe est formée par injection, dans la partie de couche de surface d'une section de diode, d'un troisième dopant du premier type de conduction à une concentration supérieure à celle du deuxième dopant. Ensuite, la section IGBT et la section de diode sont recuites au laser dans des conditions où la troisième région d'injection fond partiellement et où le premier dopant est activé. Ensuite, la section IGBT et la section de diode sont recuites avec un faisceau laser pulsé ayant une largeur d'impulsion courte, moyennant quoi une partie de couche de surface au niveau d'une position moins profonde que la seconde région d'injection est amenée à fondre et à cristalliser dans toute la région comprenant la section IGBT et la section de diode. Cela permet d'activer les dopants dans les régions profondes et de supprimer la survenue d'une rugosité de surface.
(JA) 半導体基板のIGBT区画の表層部に、第1導電型の第1のドーパントを注入して第1の注入領域を形成する。IGBT区画の、第1の注入領域より浅い領域に、第2導電型の第2のドーパントを注入して、第2の注入領域を形成する。ダイオード区画の表層部に、第1導電型の第3のドーパントを、第2のドーパントより高濃度に注入して、アモルファス状態の第3の注入領域を形成する。その後、IGBT区画及びダイオード区画を、第3の注入領域が部分的に溶融し、第1のドーパントが活性化する条件で、レーザアニールを行う。その後、IGBT区画及びダイオード区画を、パルス幅の短いパルスレーザビームでアニールすることにより、IGBT区画及びダイオード区画の全域において、第2の注入領域より浅い表層部を溶融させ、結晶化させる。表面荒れの発生を抑制し、かつ深い領域のドーパントを活性化させることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)