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1. (WO2015133127) ÉLECTRODE POUR RÉDUCTION DE GAZ CARBONIQUE, ET DISPOSITIF DE RÉDUCTION DE GAZ CARBONIQUE METTANT EN ŒUVRE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133127    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/001110
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 03.03.2015
CIB :
C25B 11/06 (2006.01), C25B 3/04 (2006.01), C25B 9/00 (2006.01)
Déposants : DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP).
KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 1-1,Sensui-cho,Tobata-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8048550 (JP)
Inventeurs : IIJIMA, Goh; (JP).
HIJIKATA, Yoshimasa; (JP).
YOTOU, Hiroaki; (JP).
OHNO, Teruhisa; (JP).
MURAKAMI, Naoya; (JP)
Mandataire : KIN, Junhi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-041761 04.03.2014 JP
2014-251485 12.12.2014 JP
Titre (EN) CARBON DIOXIDE REDUCTION ELECTRODE AND CARBON DIOXIDE REDUCTION DEVICE IN WHICH SAME IS USED
(FR) ÉLECTRODE POUR RÉDUCTION DE GAZ CARBONIQUE, ET DISPOSITIF DE RÉDUCTION DE GAZ CARBONIQUE METTANT EN ŒUVRE CELLE-CI
(JA) 二酸化炭素還元電極及びこれを用いた二酸化炭素還元装置
Abrégé : front page image
(EN) Provided are a CO2 reduction electrode and a CO2 reduction device making it possible to sufficiently obtain a reduction product comprising organic matter, etc. The reduction electrode (1) has an electroconductive substrate (11), a p-type optical semiconductor (12) provided thereon, and an n-type optical semiconductor (13) provided on the p-type optical semiconductor (12). The reduction electrode (1) is used in the reduction device (8). The energy level of the conduction band of the p-type optical semiconductor (12) is higher in the negative direction than the energy level of the conduction band of the n-type optical semiconductor (13). The energy level of the valence band of the p-type optical semiconductor (12) is higher in the negative direction than the energy level of the valence band of the n-type optical semiconductor (13).
(FR)L'invention fournit une électrode pour réduction de CO2 et un dispositif de réduction de CO2 qui permettent d'obtenir de manière suffisante un produit de réduction constitué d'une substance organique, ou similaire. L'électrode pour réduction (1) possède un substrat (11) doté de propriétés conductrices, un semi-conducteur optique de type p (12) agencé sur le substrat (11), et un semi-conducteur optique de type n (13) agencé sur le semi-conducteur optique de type p (12). Le dispositif de réduction met en œuvre cette électrode pour réduction (1). Le niveau d'énergie d'une bande de conduction du semi-conducteur optique de type p (12) est supérieur côté base par rapport à celui d'une bande de conduction du semi-conducteur optique de type n (13). Enfin, le niveau d'énergie d'une bande de valence du semi-conducteur optique de type p (12) est supérieur côté base par rapport à celui d'une bande de valence du semi-conducteur optique de type n (13).
(JA) 有機物等からなる還元生成物を十分に得ることができるCO2還元電極、及びCO2還元装置を提供する。還元電極(1)は、導電性の基板(11)と、その上に設けられたp型光半導体(12)と、その上に設けられたn型光半導体(13)とを有し、還元装置(8)はこの還元電極(1)を用いている。p型光半導体(12)の伝導帯のエネルギー準位は、n型光半導体(13)の伝導帯のエネルギー準位よりも卑側に高い。また、p型光半導体(12)の価電子帯のエネルギー準位は、n型光半導体(13)の価電子帯のエネルギー準位よりも卑側に高い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)