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1. (WO2015133073) ÉLÉMENT COMMUTATEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT COMMUTATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133073    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/000758
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 18.02.2015
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
Inventeurs : BANNO, Naoki; (JP).
TADA, Munehiro; (JP).
OKAMOTO, Koichiro; (JP)
Mandataire : SHIMOSAKA, Naoki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-045013 07.03.2014 JP
Titre (EN) SWITCHING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SWITCHING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT COMMUTATEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT COMMUTATEUR
(JA) スイッチング素子及びスイッチング素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a nonvolatile switching element which has high retention ability even if programmed at a low current, while being suppressed in dielectric breakdown of a variable resistance layer during a reset operation. This switching element is provided with: a first electrode; a second electrode; and a variable resistance layer that is arranged between the first electrode and the second electrode and has ion conductivity. The first electrode contains a metal which generates metal ions that can be conducted in the variable resistance layer. The second electrode is provided with: a first electrode layer that is formed in contact with the variable resistance layer; and a second electrode layer that is formed in contact with the first electrode layer. The first electrode layer is formed of a ruthenium alloy that contains ruthenium and a first metal having a larger standard Gibbs energy of formation of oxide than ruthenium in the negative direction. The second electrode layer is formed of a nitride that contains the first metal. The content of the first metal in the first electrode layer is lower than the content of the first metal in the second electrode layer.
(FR)L'invention concerne un élément commutateur non volatil qui présente une capacité de rétention élevée même s'il est programmé à un faible courant, tout en supprimant l'interruption diélectrique d'une couche à résistance variable pendant une opération de réinitialisation. L'élément commutateur comporte : une première électrode ; une deuxième électrode ; et une couche à résistance variable qui est agencée entre la première électrode et la deuxième électrode et présente une conductivité d'ions. La première électrode contient un métal qui génère des ions de métal qui peuvent être conduits dans la couche à résistance variable. La deuxième électrode comporte : une première couche d'électrode qui est formée en contact avec la couche à résistance variable ; et une deuxième couche d'électrode qui est formée en contact avec la première couche d'électrode. La première couche d'électrode est formée d'un alliage de ruthénium qui contient du ruthénium et un premier métal dont l'énergie de Gibbs de formation d'oxyde normalisée est supérieure à celle du ruthénium dans la direction négative. La deuxième couche d'électrode est formée d'un nitrure qui contient le premier métal. La teneur en premier métal dans la première couche d'électrode est inférieure à la teneur en premier métal dans la deuxième couche d'électrode.
(JA) リセット動作時における抵抗変化層の絶縁破壊が抑制される一方で、低電流でプログラミングした場合にも高い保持力を有する不揮発性スイッチング素子を提供する。スイッチング素子が、第1電極と、第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられた、イオン伝導性を有する抵抗変化層とを具備する。第1電極は、抵抗変化層において伝導可能な金属イオンを生成する金属を含む。第2電極は、抵抗変化層に接して形成される第1電極層と、第1電極層に接して形成される第2電極層とを備えている。第1電極層は、ルテニウムと、ルテニウムよりも酸化過程の標準生成ギブスエネルギーが負方向に大きい第1の金属とを含むルテニウム合金で形成され、第2電極層は、第1の金属を含む窒化物で形成される。第1電極層における第1の金属の含有率は、第2電極層における第1の金属の含有率よりも小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)