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1. (WO2015133063) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE ET SUBSTRAT À BASE DE SILICIUM POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/133063    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/000595
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 10.02.2015
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : HAGIMOTO, Kazunori; (JP).
SHINOMIYA, Masaru; (JP).
TSUCHIYA, Keitaro; (JP).
GOTO, Hirokazu; (JP).
SATO, Ken; (JP).
SHIKAUCHI, Hiroshi; (JP).
KOBAYASHI, Shoichi; (JP).
KURIMOTO, Hirotaka; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-041976 04.03.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL WAFER, AND SILICON-BASED SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE ET SUBSTRAT À BASE DE SILICIUM POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長用シリコン系基板
Abrégé : front page image
(EN) The present invention is a method for producing an epitaxial wafer having an epitaxial layer on a silicon-based substrate, wherein the method for producing an epitaxial wafer is characterized in that a semiconductor layer is epitaxially grown on the silicon-based substrate after an external peripheral section of the silicon-based substrate is terrace-formed. A method is thereby provided for producing an epitaxial wafer that has an epitaxial layer on a silicon-based substrate, the method allowing a completely crack-free epitaxial wafer to be obtained.
(FR) La présente invention porte sur un procédé de production d'une tranche épitaxiale ayant une couche épitaxiale sur un substrat à base de silicium, dans lequel le procédé de production d'une tranche épitaxiale est caractérisé en ce qu'une couche semi-conductrice est formée par croissance épitaxiale sur le substrat à base de silicium après qu'une section périphérique externe du substrat à base de silicium est formée en terrasse. Un procédé est ainsi fourni pour produire une tranche épitaxiale qui a une couche épitaxiale sur un substrat à base de silicium, le procédé permettant d'obtenir une tranche épitaxiale complètement sans craquelure.
(JA) 本発明は、シリコン系基板上にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記シリコン系基板の外周部をテラス加工した後に、前記シリコン系基板上に半導体層をエピタキシャル成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、完全なクラックフリーのエピタキシャルウェーハを得ることが可能なシリコン系基板上にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハの製造方法を提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)