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1. (WO2015132997) DISPOSITIF DE MÉMOIRE MAGNÉTORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/132997    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/077026
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 02.10.2014
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : NAKATSUKA, Keisuke; (JP).
MIYAKAWA, Tadashi; (JP).
HOYA, Katsuhiko; (JP).
HAMAMOTO, Takeshi; (JP).
TAKENAKA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : KURATA, Masatoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
61/949,054 06.03.2014 US
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE MAGNÉTORÉSISTIF
Abrégé : front page image
(EN)According to one embodiment, a magnetoresistive memory device includes a substrate having a first surface which includes a first direction; and memory elements each having a switchable resistance. A first column of memory elements lined up along the first direction is different from an adjacent second column of memory elements lined up along the first direction at positions of memory elements in the first direction.
(FR)La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif de mémoire magnétorésistif qui comprend un substrat qui comporte une première surface qui présente une première direction; et des éléments de mémoire qui comportent chacun une résistance commutable. Une première colonne d'éléments de mémoire alignés le long de la première direction est différente d'une seconde colonne adjacente d'éléments de mémoire alignés le long de la première direction à des positions d'éléments de mémoire dans la première direction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)