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1. (WO2015132887) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR EN COLONNES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/132887    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/055499
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 04.03.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.05.2014    
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : UNISANTIS ELECTRONICS SINGAPORE PTE. LTD. [SG/SG]; 111, North Bridge Road, #16-04, Peninsula Plaza, 179098 (SG) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
MASUOKA Fujio [JP/JP]; (JP) (US only).
HARADA Nozomu [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : MASUOKA Fujio; (JP).
HARADA Nozomu; (JP)
Mandataire : KIMURA Mitsuru; 2nd Floor, Kyohan Building, 7, Kandanishiki-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) COLUMNAR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR EN COLONNES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 柱状半導体メモリ装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a columnar semiconductor memory device, which has high density, high reliability, and low cost. Tunnel insulating layers (11aa, 11bb, 11dd), a data charge accumulation insulating layer (12a), an interlayer insulating layer (13a), and gas layers (18a, 18b, 18d) are formed so as to surround the outer circumferences of Si columns (4a, 4b, 4c, 4d). Word lines (14a1, 14a2, 14an) are formed in the direction perpendicular to an upper surface of an i layer substrate (1a) so as to surround the outer circumferences of the gas layers (18a, 18b, 18d), said word lines being separated from each other by means of interlayer insulating layers (15a1, 15a2, 15an).
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif de mémoire à semi-conducteur en colonnes, qui a une densité élevée, une grande fiabilité et un faible coût. Des couches isolantes à effet tunnel (11aa, 11bb, 11dd), une couche isolante d'accumulation de charge de données (12a), une couche isolante intermédiaire (13a), et des couches de gaz (18a, 18b, 18d) sont formées de façon à entourer les circonférences extérieures de colonnes de Si (4a, 4b, 4c, 4d). Des lignes de mots (14a1, 14a2, 14an) sont formées dans la direction perpendiculaire à une surface supérieure d'un substrat de couche i (1a) de manière à entourer les circonférences extérieures des couches de gaz (18a, 18b, 18d), lesdites lignes de mots étant séparées les unes des autres au moyen de couches isolantes intermédiaires (15a1, 15a2, 15an).
(JA) 高密度であり、高信頼性且つ低価格な柱状半導体メモリ装置を実現する。 Si柱(4a、4b、4c、4d)の外周を囲むように、トンネル絶縁層(11aa、11bb、11dd)、データ電荷蓄積絶縁層(12a)、層間絶縁層(13a)、気体層(18a、18b、18d)が形成されている。気体層(18a、18b、18d)の外周を囲むように、i層基板1aの上表面に垂直な方向に、層間絶縁層(15a1、15a2、15an)によって互いに分離されたワード線(14a1、14a2、14an)が形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)