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1. (WO2015132217) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR CALCULER LA TEMPÉRATURE DE JONCTION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE À HAUTE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/132217    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/054343
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 03.03.2015
CIB :
G01K 7/01 (2006.01), G01K 7/42 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : ZENG, Keqiu; (NL).
WANG, Tao; (NL).
SENAN, Kailas; (NL)
Mandataire : COHEN, Julius Simon; (NL)
Données relatives à la priorité :
PCT/CN2014/072868 04.03.2014 CN
14172563.0 16.06.2014 EP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR CALCULATING THE JUNCTION TEMPERATURE OF AN RF POWER MOSFET
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR CALCULER LA TEMPÉRATURE DE JONCTION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE À HAUTE FRÉQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)There are provided a method and apparatus for calculating the junction temperature of an RF power MOSFET. The method for calculating the junction temperature of an RF power MOSFET, comprising steps of: establishing a transient thermal impedance model of the RF power MOSFET in analog domain; calculating a transfer function in time domain of the transient thermal impedance model using bilinear transformation; establishing a junction temperature compensation model in digital domain based on the transfer function in time domain of the transient thermal impedance model with a sampling frequency and a type of 2nd order IIR filter structure; and calculating the junction temperature of the RF power MOSFET by inputting an actual input to the junction temperature compensation model. The present invention improves accuracy in determining the junction temperature of an RF power MOSFET.
(FR)L'invention porte sur un procédé et sur un appareil pour calculer la température de jonction d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) de puissance à haute fréquence. Le procédé pour calculer la température de jonction d'un MOSFET de puissance à haute fréquence comprend les étapes consistant : à établir un modèle d'impédance thermique transitoire du MOSFET de puissance à haute fréquence dans un domaine analogique ; à calculer une fonction de transfert dans le domaine des temps du modèle d'impédance thermique transitoire à l'aide d'une transformation bilinéaire ; établir un modèle de compensation de température de jonction dans le domaine numérique sur la base de la fonction de transfert dans le domaine des temps du modèle d'impédance thermique transitoire avec une fréquence d'échantillonnage et un type de structure de filtre à réponse d'impulsion infinie du 2ème ; et calculer la température de jonction du MOSFET de puissance à haute fréquence par l'entrée d'une entrée effective sur le modèle de compensation de température de jonction. La présente invention améliore la précision de détermination de la température de jonction d'un MOSFET de puissance à haute fréquence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)