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1. (WO2015131846) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À SCHOTTKY SUR HÉTÉROJONCTION SANS DOPAGE DE TYPE P ET TRANSISTOR ÉLECTROLUMINESCENT À HAUTE MOBILITÉ D'ÉLECTRONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/131846    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/073753
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 06.03.2015
CIB :
H01L 27/15 (2006.01)
Déposants : THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [CN/CN]; Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong (CN)
Inventeurs : CHEN, Jing; (CN).
LI, Baikui; (CN).
WANG, Jiannong; (CN).
TANG, Xi; (CN)
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District, Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
61/966,918 06.03.2014 US
Titre (EN) P-DOPING-FREE SCHOTTKY-ON-HETEROJUNCTION LIGHT-EMITTING DIODE AND HIGH-ELECTRON-MOBILITY LIGHT-EMITTING TRANSISTOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À SCHOTTKY SUR HÉTÉROJONCTION SANS DOPAGE DE TYPE P ET TRANSISTOR ÉLECTROLUMINESCENT À HAUTE MOBILITÉ D'ÉLECTRONS
Abrégé : front page image
(EN)A p-doping-free Schottky-on-heterojunction light-emitting-diode (SoH-LED) and a high-electron-mobility light-emitting transistor (HEM-LET) including the SoH-LED and integration of HEMT and SoH-LED are described. In an aspect, a light emitting device structure is provided that includes a substrate and a p-doping free heterostructure including a channel layer formed on and adjacent to the substrate and comprising a material with a first bandgap, a barrier layer formed on and adjacent to the channel layer and comprising a material with a second bandgap larger than the first bandgap, and a two-dimensional electron gas (2DEG) channel formed at an interface between the channel layer and the barrier layer. The light emitting device structure further includes a Schottky anode electrode formed on and adjacent to the barrier layer, and an ohmic cathode electrode formed on and adjacent to the barrier layer and electrically coupled to the 2DEG layer.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente à Schottky sur hétérojonction (DEL SoH) sans dopage de type p et un transistor électroluminescent à haute mobilité d'électrons (LET HEM) incluant la DEL SoH et l'intégration de HEMT et de DEL SoH. Selon un aspect, l'invention concerne une structure de dispositif électroluminescent qui inclut un substrat et une hétérostructure sans dopage de type p incluant une couche de canal formée sur le substrat et adjacente à ce dernier et comprenant un matériau comportant une première bande interdite, une couche de barrière formée sur la couche de canal et adjacente à cette dernière et comprenant un matériau comportant une seconde bande interdite plus large que la première bande interdite, et un canal de gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) formé à une interface entre la couche de canal et la couche de barrière. La structure de dispositif électroluminescent inclut en outre une électrode d'anode de Schottky formée sur la couche de barrière et adjacente à cette dernière, et une électrode de cathode ohmique formée sur la couche de barrière et adjacente à cette dernière et électriquement couplée à la couche 2DEG.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)