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1. (WO2015131755) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/131755    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/072942
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 12.02.2015
CIB :
C01B 31/36 (2006.01)
Déposants : TAIZHOU BEYOND TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; No.3 Building, No.818 Kaifa Road Taizhou, Zhejiang 318000 (CN).
HOSHINO, Masahiro [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : HOSHINO, Masahiro; (JP).
ZHANG, Lenian; (CN)
Mandataire : TAIZHOU FANGYUAN PATENT ATTORNEY FIRM; 3rd Floor High-tech Innovation Service Center Development Road Taizhou, Zhejiang 318000 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410081038.6 06.03.2014 CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING SILICON CARBIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CARBURE DE SILICIUM
(ZH) 一种碳化硅的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for preparing a silicon carbide. The method comprises: melting or evaporating a silicon raw material for producing the silicon carbide in a high-temperature environment of over 1300°C, and reacting the molten or evaporated silicon raw material with a carbon element-containing gas or liquid to generate the silicon carbide in a furnace body in a vacuum environment or under the protection of an inert gas. Also provided is an apparatus for preparing the silicon carbide.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation d'un carbure de silicium. Le procédé consiste : en la fusion ou l'évaporation d'une matière première de silicium pour produire le carbure de silicium dans un environnement à haute température supérieure à 1300°C et en la réaction de la matière première de silicium fondue ou évaporée avec un liquide ou un gaz contenant un élément carbone pour générer le carbure de silicium dans un corps de four dans un environnement sous vide ou sous la protection d'un gaz inerte. L'invention concerne également un appareil de préparation du carbure de silicium.
(ZH)提供一种碳化硅的制备方法,包括:在真空环境或者惰性气体保护下的炉体内,将生产碳化硅的硅原材料在超过1300℃的高温环境中熔解或者蒸发并将熔解或者蒸发的硅原材料与含有碳元素的气体或液体反应生成碳化硅。还提供一种碳化硅的制备装置。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)