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1. (WO2015131527) DISPOSITIF À GRILLE SEMI-FLOTTANTE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/131527    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/090364
Date de publication : 11.09.2015 Date de dépôt international : 05.11.2014
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129 (CN)
Inventeurs : YANG, Xichao; (CN).
ZHAO, Jing; (CN).
ZHANG, Chenxiong; (CN)
Mandataire : SHENPAT INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; Room 1521 West Block, Guomao Building Shenzhen, Guangdong 518014 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410077052.9 04.03.2014 CN
Titre (EN) SEMI-FLOATING GATE DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À GRILLE SEMI-FLOTTANTE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种半浮栅器件及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A semi-floating gate device and a preparation method therefor, which are used for solving a plurality of defects that the existing semi-floating gate transistor has. The semi-floating device comprises: a semiconductor substrate (300) having a first doping type; a convex body (301) formed on the surface of the semiconductor substrate (300); a drain region (310) which is formed at one side of the semiconductor substrate (300) and has a second doping type, wherein the drain region is connected to the convex body; a source region (309) which is formed at the other side of the semiconductor substrate and has a second doping type, wherein the source region is connected to the drain region via a channel region (302); a first layer of an insulation thin film (303) which covers the channel region and a side wall of the convex body facing the source region; a floating gate (305) which is formed on the first layer of an insulation thin film and the convex body and has a first doping type, wherein the floating gate is connected to the drain region via the convex body; a second layer of an insulation thin film (306); and a control gate (307) which is formed on the second layer of an insulation thin film and covers the floating gate and the convex body.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à grille semi-flottante et son procédé de préparation, qui sont utilisés pour résoudre une pluralité de défauts présentés par le transistor à grille semi-flottante existant. Le dispositif à grille semi-flottante comprend : un substrat semi-conducteur (300) présentant un premier type de dopage ; un corps convexe (301) formé sur la surface du substrat semi-conducteur (300) ; une région déversoir (310) qui est formée au niveau d'un côté du substrat semi-conducteur (300) et qui présente un second type de dopage, la région déversoir étant raccordée au corps convexe ; une région source (309) qui est formée au niveau de l'autre côté du substrat semi-conducteur et qui présente un second type de dopage, la région source étant raccordée à la région déversoir par l'intermédiaire d'une région canal (302) ; une première couche d'un film mince d'isolation (303) qui recouvre la région canal et une paroi latérale du corps convexe faisant face à la région source ; une grille flottante (305) qui est formée sur la première couche d'un film mince d'isolation et sur le corps convexe et qui présente un premier type de dopage, la grille flottante étant raccordée à la région déversoir par l'intermédiaire du corps convexe ; une seconde couche d'un film mince d'isolation (306) ; et une grille de commande (307) qui est formée sur la seconde couche d'un film mince d'isolation et qui recouvre la grille flottante et le corps convexe.
(ZH)一种半浮栅器件及其制备方法,用于解决现有的半浮栅晶体管存在的多种缺陷。半浮栅器件包括:具有第一种掺杂类型的半导体衬底(300);在半导体衬底(300)表面形成的凸体(301);在半导体衬底(300)的一侧形成的、具有第二种掺杂类型的漏区(310),漏区与凸体相接;在半导体衬底的另一侧形成的、具有第二种掺杂类型的源区(309),源区通过沟道区(302)和漏区连接;覆盖沟道区和凸体的朝向源区的侧壁的第一层绝缘薄膜(303);在第一层绝缘薄膜和凸体上形成的、具有第一种掺杂类型的浮栅(305),浮栅通过凸体与漏区相连;第二层绝缘薄膜(306);在第二层绝缘薄膜上形成的、覆盖浮栅和凸体的控制栅(307)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)