WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015130888) AMPLIFICATEUR TRANSLINÉAIRE HYBRIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130888    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/017661
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 26.02.2015
CIB :
H03F 3/42 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01), H03F 1/26 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way Norwood, MA 02062 (US)
Inventeurs : GILBERT, Barrie; (US)
Mandataire : FRAME, Thomas, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/192,601 27.02.2014 US
Titre (EN) HYBRID TRANSLINEAR AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR TRANSLINÉAIRE HYBRIDE
Abrégé : front page image
(EN)A hybrid, translinear amplifier has at least one gain stage including first and second gain transistors, at least a first load transistor electrically coupled to the first gain transistor and at least a second load transistor electrically coupled to the second gain transistor, and load resistors electrically coupled to the load transistors. A hybrid, translinear amplifier with selectable gain has a first hybrid, translinear amplifier cell having at least first and second load transistors, each load transistor having a load resistor, at least one additional hybrid, translinear amplifier cell having at least third, fourth, fifth and sixth load transistors, each load transistor having a load resistor, at least two switches electrically coupled to the amplifier cells to allow selection of one of the amplifier cells, and a differential output signal having a gain corresponding to a selected amplifier cell.
(FR)L'invention porte sur un amplificateur translinéaire hybride qui comporte au moins un étage de gain comprenant des premier et second transistors de gain, au moins un premier transistor de charge couplé électriquement au premier transistor de gain et au moins un second transistor de charge couplé électriquement au second transistor de gain, et des résistances de charge couplées électriquement aux transistors de charge. Un amplificateur translinéaire hybride doté d'un gain sélectionnable a une première cellule d'amplificateur translinéaire hybride ayant au moins des premier et second transistors de charge, chaque transistor de charge ayant une résistance de charge, au moins une cellule d'amplificateur translinéaire hybride supplémentaire ayant au moins des troisième, quatrième, cinquième et sixième transistors de charge, chaque transistor de charge ayant une résistance de charge, au moins deux commutateurs couplés électriquement aux cellules d'amplificateur pour permettre la sélection de l'une des cellules d'amplificateur, et un signal de sortie différentiel ayant un gain correspondant à une cellule d'amplificateur sélectionnée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)