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1. (WO2015130692) FIL D'ENROULEMENT ISOLÉ CONTENANT DES COUCHES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130692    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/017348
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 24.02.2015
CIB :
H02K 3/30 (2006.01)
Déposants : ESSEX GROUP, INC. [US/US]; 1601 Wall Street Fort Wayne, IN 46802 (US)
Inventeurs : GRONOWSKI, Bogdan; (US).
KNERR, Allan, R.; (US)
Mandataire : RHETT, White; (US)
Données relatives à la priorité :
61/944,225 25.02.2014 US
Titre (EN) INSULATED WINDING WIRE CONTAINING SEMI-CONDUCTIVE LAYERS
(FR) FIL D'ENROULEMENT ISOLÉ CONTENANT DES COUCHES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)An insulated winding wire may include a conductor and a plurality of adjacent layers of semi-conductive material formed around, the conductor. First and second layers of semi-conductive material included, in the plurality of adjacent layers may have different conductivities. For example, a first layer of semi-conductive material may have a first conductivity, and a second layer of semi-conductive material may have a second conductivity lower than the first conductivity. Additionally, at least one layer of insulation material may be formed around the conductor, for example, on the second layer of semi-conductive material.
(FR)L'invention concerne un fil d'enroulement isolé qui peut comprendre un conducteur et une pluralité de couches adjacentes de matériau semi-conducteur formées autour du conducteur. Des première et seconde couches de matériau semi-conducteur incluses dans la pluralité de couches adjacentes peuvent avoir des conductivités différentes. Par exemple, une première couche de matériau semi-conducteur peut avoir une première conductivité, et une seconde couche de matériau semi-conducteur peut avoir une seconde conductivité inférieure à la première conductivité. En outre, au moins une couche de matériau isolant peut être formée autour du conducteur, par exemple, sur la seconde couche de matériau semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)