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1. (WO2015130507) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À AILETTES SOUS CONTRAINTE DE TYPE MÉTAL/OXYDE/SEMI-CONDUCTEUR À CANAL N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130507    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/016081
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 17.02.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.12.2015    
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/36 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : XU, Jeffrey Junhao; (US).
YEAP, Choh Fei; (US)
Mandataire : CICCOZZI, John L.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/946,105 28.02.2014 US
14/281,660 19.05.2014 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS OF STRESSED FIN NMOS FINFET
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À AILETTES SOUS CONTRAINTE DE TYPE MÉTAL/OXYDE/SEMI-CONDUCTEUR À CANAL N
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor fin is on a substrate, and extends in a longitudinal direction parallel to the substrate. The fin projects, in a vertical direction, to a fin top at a fin height above the substrate. An embedded fin stressor element is embedded in the fin. The fin stressor element is configured to urge a vertical compression force within the fin, parallel to the vertical direction. Optionally, the semiconductor material includes silicon, and embedded fin stressor element includes silicon dioxide.
(FR)Cette invention concerne ailette de semi-conducteur disposée sur un substrat, et s'étendant dans une direction longitudinale parallèle au substrat. Ladite ailette fait saillie, dans une direction verticale, vers un sommet d'ailette jusqu'à une hauteur d'ailette au-dessus du substrat. Un élément encastré de contrainte d'ailette est encastré dans l'ailette. Ledit élément de contrainte d'ailette est conçu pour appliquer une force de compression verticale à l'intérieur de l'ailette, parallèlement à la direction verticale. Optionnellement, ledit matériau semi-conducteur comprend du silicium, et ledit élément encastré de contrainte d'ailette comprend du dioxyde de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)