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1. (WO2015130430) OPÉRATIONS D'ÉCRITURE DANS UNE MÉMOIRE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130430    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/014123
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 02.02.2015
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
NAEIMI, Helia [CA/US]; (US) (US only).
LU, Shih-Lien [US/US]; (US) (US only).
AUGUSTINE, Charles [IN/US]; (US) (US only)
Inventeurs : NAEIMI, Helia; (US).
LU, Shih-Lien; (US).
AUGUSTINE, Charles; (US)
Mandataire : CAVEN, Jed; (US)
Données relatives à la priorité :
14/191,191 26.02.2014 US
Titre (EN) WRITE OPERATIONS IN SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY
(FR) OPÉRATIONS D'ÉCRITURE DANS UNE MÉMOIRE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus, systems, and methods for write operations in spin transfer torque (STT) memory are described. In one embodiment, a controller comprises logic to identify a first plurality of cells in a row of spin transfer torque (STT) memory which are to be set to a parallel state and a second plurality of cells in the row of the STT memory which are to be set to an anti-parallel state, mask write operations to the second plurality of cells in the row, set the first plurality of cells to a parallel state, mask write operations to the first plurality of cells in the row, and set the second plurality of cells to an anti-parallel state. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR)L'invention concerne un appareil, des systèmes et des procédés destinés à des opérations d'écriture dans une mémoire à couple de transfert de spin (STT, Spin Transfer Torque). Dans un mode de réalisation, un dispositif de commande comprend une logique permettant d'identifier une première pluralité de cellules d'une ligne de mémoires à couple de transfert de spin (STT) qui doivent être mises dans un état parallèle et une seconde pluralité de cellules de la ligne de la mémoire STT qui doivent être mises dans un état anti-parallèle, masquer les opérations d'écriture dans la seconde pluralité de cellules de la ligne, mettre la première pluralité de cellules dans un état parallèle, masquer les opérations d'écriture dans la première pluralité de cellules de la ligne et mettre la seconde pluralité de cellules dans un état anti-parallèle. L'invention décrit et revendique également d'autres modes de réalisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)