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1. (WO2015130352) CONSTRUCTIONS CONTENANT UN TRANSISTOR ET RÉSEAUX DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130352    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/066171
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 18.11.2014
CIB :
H01L 27/108 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; Ms 1-525 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US)
Inventeurs : PANDEY, Deepak; (US).
LIU, Haitao; (US)
Mandataire : HENDRICKSEN, Mark, W.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/189,808 25.02.2014 US
Titre (EN) TRANSISTOR-CONTAINING CONSTRUCTIONS AND MEMORY ARRAYS
(FR) CONSTRUCTIONS CONTENANT UN TRANSISTOR ET RÉSEAUX DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments include transistor-containing constructions having gate material within an opening in a semiconductor material and spaced from the semiconductor material by gate dielectric material. The opening has a wide lower region beneath a narrow upper region. A saddle region of the gate dielectric material extends outwardly from a bottom of the opening and is along the semiconductor material beneath the opening. A saddle region of the gate material extends outwardly from the bottom of the opening and is along the gate dielectric material beneath the opening. Source/drain regions are within the semiconductor material along sides of the gate material. Some embodiments include memory arrays.
(FR)Certains modes de réalisation de l'invention comprennent des constructions contenant un transistor ayant un matériau de grille à l'intérieur d'une ouverture dans un matériau semi-conducteur et espacé du matériau semi-conducteur par un matériau diélectrique de grille. L'ouverture a une large région inférieure au-dessous d'une région supérieure étroite. Une région de selle du matériau diélectrique de grille s'étend vers l'extérieur à partir d'un fond de l'ouverture et est le long du matériau semi-conducteur au-dessous de l'ouverture. Une région de selle du matériau de grille s'étend vers l'extérieur depuis le fond de l'ouverture et est le long du matériau diélectrique de grille au-dessous de l'ouverture. Des régions de source/drain sont dans le matériau semi-conducteur le long de côtés du matériau de grille. Certains modes de réalisation comprennent des réseaux de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)