WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015130264) PONT MULTI-DISPOSITIF INTÉGRÉ AVEC CONNEXION DE SIGNAL PAR TROUS D'INTERCONNEXION CONDUCTEURS TRAVERSANT LE PONT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130264    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/018482
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 26.02.2014
CIB :
H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DESHPANDE, Nitin A.; (US).
KARHADE, Omkar G.; (US)
Mandataire : WINKLE, Robert G.; Winkle, PLLC, c/o CPA Global PO Box 52050 Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) EMBEDDED MULTI-DEVICE BRIDGE WITH THROUGH-BRIDGE CONDUCTIVE VIA SIGNAL CONNECTION
(FR) PONT MULTI-DISPOSITIF INTÉGRÉ AVEC CONNEXION DE SIGNAL PAR TROUS D'INTERCONNEXION CONDUCTEURS TRAVERSANT LE PONT
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic structure includes a substrate having a first surface and a cavity extending into the substrate from the substrate first surface, a first microelectronic device and a second microelectronic device attached to the substrate first surface, and a bridge disposed within the substrate cavity and attached to the first microelectronic device and to the second microelectronic device. The bridge includes a plurality conductive vias extending from a first surface to an opposing second surface of the bridge, wherein the conductive vias are electrically coupled to deliver electrical signals from the substrate to the first microelectronic device and the second microelectronic device. The bridge further creates at least one electrical signal connection between the first microelectronic device and the second microelectronic device.
(FR)L'invention concerne une structure microélectronique comprenant un substrat ayant une première surface et une cavité s'étendant dans le substrat depuis la première surface de substrat, un premier dispositif microélectronique et un second dispositif microélectronique attachés à la première surface de substrat et un pont disposé au sein de la cavité de substrat et attaché au premier dispositif microélectronique et au second dispositif microélectronique. Le pont inclut une pluralité de trous d'interconnexion conducteurs s'étendant d'une première surface à une seconde surface opposée du pont, les trous d'interconnexion conducteurs étant couplés électriquement pour délivrer des signaux électriques du substrat au premier dispositif microélectronique et au second dispositif microélectronique. Le pont crée en outre au moins une connexion de signal électrique entre le premier dispositif microélectronique et le second dispositif microélectronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)