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1. (WO2015130261) PUCE DE SILICIUM AVEC GRADIENT D'INDICE DE RÉFRACTION POUR COMMUNICATION OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130261    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/018328
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 25.02.2014
CIB :
G02B 6/26 (2006.01)
Déposants : EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC [US/US]; 2711 Centerville Road, Suite 400 Wilmington, DE 19808 (US)
Inventeurs : MILLAR, Benjamin, William; (AU)
Mandataire : TURK, Carl, K.; Turk IP Law, LLC 2885 Sanford Ave, S.w. #23998 Grandville, MI 49418 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SILICON CHIP WITH REFRACTIVE INDEX GRADIENT FOR OPTICAL COMMUNICATION
(FR) PUCE DE SILICIUM AVEC GRADIENT D'INDICE DE RÉFRACTION POUR COMMUNICATION OPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Technologies pertaining to a chip with a refractive index gradient, including fabrication thereof, are generally described. The refractive index gradient may be formed by creating atomic scale inclusions throughout a thickness of the chip by inducing nanoporosity into the chip, dissociating and diffusing oxygen into the chip, or performing chemical vapor deposition. One or more integrated circuit (IC) components and optical transceiver devices may be provided by mounting, growing, or etching the IC components and optical transceiver devices at a surface of the chip. The optical transceiver devices may be configured to transmit and/or receive an optical communication signal to and/or from at least one IC component or other optical transceiver device via an optical communication path within the thickness of the chip. The optical communication path may include a direction and distance, within the thickness of the chip, based on the refractive index gradient and angle of incidence.
(FR)L'invention porte sur des technologies concernant une puce avec un gradient d'indice de réfraction, y compris la fabrication de cette dernière. Le gradient d'indice de réfraction peut être formé par la création d'inclusions d'échelle atomique à travers une épaisseur de la puce par l'induction d'une nanoporosité dans la puce, la dissociation et la diffusion d'oxygène dans la puce, ou la réalisation d'une déposition en phase vapeur par procédé chimique. Un ou plusieurs composants de circuit intégré (CI) et des dispositifs d'émetteur/récepteur optiques peuvent être réalisés par montage, croissance ou gravure des composants de circuit intégré et des dispositifs d'émetteur/récepteur optiques à la surface de la puce. Les dispositifs d'émetteur/récepteurs optiques peuvent être configurés de façon à émettre et/ou à recevoir un signal de communication optique vers et/ou à partir d'au moins un composant de circuit intégré ou un autre dispositif d'émetteur/récepteur optique par l'intermédiaire d'une trajectoire de communication optique à l'intérieur de l'épaisseur de la puce. La trajectoire de communication optique peut comprendre une direction et une distance, à l'intérieur de l'épaisseur de la puce, sur la base du gradient d'indice de réfraction et de l'angle d'incidence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)