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1. (WO2015130189) PROCÉDÉ ET APPAREILLAGE POUR L'OXYDATION DE MATÉRIAUX BIDIMENSIONNELS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130189    N° de la demande internationale :    PCT/RU2014/000133
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 28.02.2014
CIB :
C04B 35/515 (2006.01), C03C 17/22 (2006.01), C04B 35/547 (2006.01), C04B 35/58 (2006.01), C04B 35/581 (2006.01), C04B 35/583 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : NOKIA TECHNOLOGIES OY [FI/FI]; Karaportti 3 FI-02610 Espoo (FI).
BESSONOV, Alexander Alexandrovich [RU/RU]; (RU) (TT only)
Inventeurs : BESSONOV, Alexander Alexandrovich; (RU).
KIRIKOVA, Marina Nikolaevna; (RU).
PETUKHOV, Dmitrii Igorevich; (RU)
Mandataire : POLIKARPOV Alexander Viktorovich; NEVINPAT Box 24 St.Petersburg, 191036 (RU)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR OXIDATION OF TWO-DIMENSIONAL MATERIALS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREILLAGE POUR L'OXYDATION DE MATÉRIAUX BIDIMENSIONNELS
Abrégé : front page image
(EN)In accordance with an example embodiment of the present invention, a method is disclosed. The method comprises providing a two-dimensional object comprising a lll-V group material, e.g. Boron nitride (BN), Boron carbon nitride (BCN), Aluminium nitride (AIN), Gallium nitride (GaN), Indium Nitride (InN), Indium phosphide (InP), Indium arsenide (InAs), Boron phosphide (BP), Boron arsenide (BAs), and Gallium phosphide (GaP) and/or a Transition Metal Dichalcogenides (TMD) group material, e.g Molybdenum sulfide (MoS2), Molybdenum diselenide (MoSe2), Tungsten sulfide (WS2), Tungsten diselenide (WSe2), Niobium sulfide (NbS2), Vanadium sulfide (VS2,), and Tantalum sulfide(TaS2) into an environment comprising oxygen; and exposing at least one part of the two-dimensional object to photonic irradiation in said environment, thereby oxidizing at least part of the material of the exposed part of the two-dimensional object.
(FR)Un procédé est décrit conformément à un exemple de forme de réalisation de la présente invention. Le procédé comprend le placement d'un objet bidimensionnel comprenant un matériau des groupes lll-V, p.ex. le nitrure de bore (BN), le boronitrure de carbone (BCN), le nitrure d'aluminium (AlN), le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'indium (InN), le phosphure d'indium (InP), l'arséniure d'indium (InAs), le phosphure de bore (BP), l'arséniure de bore (BAs) et le phosphure de gallium (GaP) et/ou un matériau du groupe des dichalcogénures de métaux de transition (TMD), p.ex. le sulfure de molybdène (MoS2), le diséléniure de molybdène (MoSe2), le sulfure de tungstène (WS2), le diséléniure de tungstène (WSe2), le sulfure de niobium (NbS2), le sulfure de vanadium (VS2) et le sulfure de tantale (TaS2), dans un environnement comprenant de l'oxygène ; et l'exposition d'au moins une partie de l'objet bidimensionnel à une irradiation photonique dans ledit environnement, en oxydant de ce fait au moins une partie du matériau de la partie exposée de l'objet bidimensionnel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)