WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015130140) APPAREIL DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ET SYSTÈME DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130140    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/001959
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 27.02.2015
CIB :
H01L 51/56 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : VNI SOLUTION CO., LTD [KR/KR]; (Guseong-dong, National Nanofab Center) #816, 291, Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141 (KR)
Inventeurs : CHO, Saeng Hyun; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0023002 27.02.2014 KR
10-2014-0136990 10.10.2014 KR
10-2014-0141252 18.10.2014 KR
Titre (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ET SYSTÈME DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
(KO) 원자층 증착장치 및 원자층 증착시스템
Abrégé : front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide an atomic layer deposition apparatus and an atomic layer deposition system, capable of reducing space for installing the apparatus and significantly improving production speed by forming a thin film on a surface of each of a plurality of rectangular substrates by rotating the substrates with respect to a gas spray portion, with the substrates being supported by one substrate support portion. The present invention provides an atomic layer deposition apparatus comprising: a vacuum chamber; a gas supply portion, which is provided above or below the vacuum chamber, and which supplies gas so that a thin film is deposited on a surface of each of substrates; and a substrate support portion, which is provided in the vacuum chamber so as to horizontally rotate about the gas supply portion, and which supports the two or more rectangular substrates arranged in the circumferential direction with respect to the center of rotation of the substrate support portion.
(FR)L'objectif de la présente invention est de fournir un appareil de dépôt de couche atomique et un système de dépôt de couche atomique, aptes à réduire l'espace pour installer l'appareil et à améliorer de manière significative la vitesse de production par formation d'un film mince sur une surface de substrats, par rotation d'une pluralité de substrats rectangulaires, qui sont portés par une partie de support de substrats, par rapport à une partie d'injection de gaz. La présente invention porte sur le système de dépôt de couche atomique comprenant : une chambre à vide ; une partie d'alimentation de gaz, qui est installée au-dessus ou au-dessous de la chambre à vide, pour fournir un gaz de telle sorte que le film mince est déposé sur la surface des substrats ; et la partie de support de substrats, qui est installée dans la chambre à vide de manière à tourner horizontalement autour de la partie d'alimentation de gaz, pour porter au moins deux substrats rectangulaires disposés dans la direction circonférentielle par rapport au centre de rotation de la partie de support de substrats.
(KO)본 발명은 복수의 직사각형 기판을 하나의 기판지지부에 지지한 상태에서 가스분사부에 대한 상대회전에 의하여 기판 표면에 박막을 형성함으로써 장치의 설치공간을 줄이고 생산속도를 현저히 높일 수 있는 원자층 증착장치 및 원자층 증착시스템을 제공하는 것을 목적으로 하며, 본 발명은 진공챔버, 상기 진공챔버의 상측 또는 하측에 설치되어 기판의 표면에 박막이 증착되도록 가스를 공급하는 가스공급부, 상기 가스공급부에 대하여 상대적으로 수평회전하도록 상기 진공챔버에 설치되고 그 회전중심을 따라서 원주방향으로 배치된 2개 이상의 직사각형 기판들을 지지하는 기판지지부를 포함하는 원자층 증착장치를 제공한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)