WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015130138) STRUCTURE DE DISPOSITIF D'ALIGNEMENT ET PROCÉDÉ D'ALIGNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130138    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/001956
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 27.02.2015
CIB :
H01L 51/56 (2006.01)
Déposants : VNI SOLUTION CO., LTD [KR/KR]; (Guseong-dong, National Nanofab Center) #816, 291, Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141 (KR)
Inventeurs : CHO, Saeng Hyun; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0023002 27.02.2014 KR
10-2014-0136990 10.10.2014 KR
10-2014-0141252 18.10.2014 KR
Titre (EN) ALIGNER STRUCTURE AND ALIGNMENT METHOD
(FR) STRUCTURE DE DISPOSITIF D'ALIGNEMENT ET PROCÉDÉ D'ALIGNEMENT
(KO) 얼라이너 구조 및 얼라인 방법
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide an aligner structure capable of quickly and precisely aligning a substrate (S) and a mask (M) by performing primary relative displacement between the substrate (S) and the mask (M) with a relatively small displacement scale after finishing primary relative displacement between the substrate (S) and the mask (M) with a relatively large displacement scale. The aligner structure according to the present invention aligns the mask (M) and the substrate (S) before performing a process of depositing a thin film on the surface of the substrate (S). The aligner structure comprises: a primary alignment part (100) for sequentially and primarily aligning the substrate (S) and the mask (M) by the primary relative displacement between the substrate (S) and the mask (M); and a secondary alignment part (200) for sequentially and secondarily aligning the substrate (S) and the mask (M) by the secondary relative displacement between the substrate (S) and the mask (M) after the primary alignment by the primary alignment part (100). The displacement scale of the secondary relative displacement is smaller than the displacement scale of the primary relative displacement so that the substrate (S) and the mask (M) can be quickly and precisely aligned by performing the primary relative displacement between the substrate (S) and the mask (M) with a relatively small displacement scale after finishing the primary relative displacement between the substrate (S) and the mask (M) with a relatively large displacement scale.
(FR)La présente invention a pour objet de produire une structure de dispositif d'alignement capable d'aligner rapidement et avec précision un substrat (S) et un masque (M) en effectuant un déplacement relatif primaire entre le substrat (S) et le masque (M) avec une échelle de déplacement relativement petite après avoir terminé le déplacement relatif primaire entre le substrat (S) et le masque (M) avec une échelle de déplacement relativement grande. La structure de dispositif d'alignement selon la présente invention aligne le masque (M) et le substrat (S) avant d'effectuer un processus de dépôt d'un film mince sur la surface du substrat (S). La structure de dispositif d'alignement comprend : une partie d'alignement primaire (100) destinée à effectuer un alignement séquentiel et primaire du substrat (S) et du masque (M) par le déplacement relatif primaire entre le substrat (S) et le masque (M) ; et une partie d'alignement secondaire (200) destinée à effectuer un alignement séquentiel et secondaire du substrat (S) et du masque (M) par le déplacement relatif secondaire entre le substrat (S) et le masque (M) après l'alignement primaire par la partie d'alignement primaire (100). L'échelle de déplacement du déplacement relatif secondaire est plus petite que l'échelle de déplacement du déplacement relatif primaire, de sorte que le substrat (S) et le masque (M) peuvent être alignés rapidement et avec précision en effectuant le déplacement relatif primaire entre le substrat (S) et le masque (M) avec une échelle de déplacement relativement petite après avoir terminé le déplacement relatif primaire entre le substrat (S) et le masque (M) avec une échelle de déplacement relativement grande.
(KO)본 발명은 상대적으로 큰 이동스케일로 기판(S) 및 마스크(M) 간의 1차 상대이동을 마치고 상대적으로 작은 이동스케일로 기판(S) 및 마스크(M) 간의 1차 상대이동을 수행함으로써 신속하고 정밀한 기판 및 마스크의 정렬이 가능한 얼라이너 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 얼라이너 구조는 기판(S) 표면에 박막증착공정을 수행하기 전에 마스크(M) 및 기판(S)을 얼라인하는 얼라이너 구조로서, 기판(S) 및 마스크(M)의 제1상대이동에 의하여 기판(S) 및 마스크(M)를 순차적으로 1차 얼라인하는 1차얼라인부(100)와, 상기 1차얼라인부(100)에 의한 1차 얼라인 후 기판(S) 및 마스크(M)의 제2상대이동에 의하여 기판(S) 및 마스크(M)를 순차적으로 2차 얼라인하는 2차얼라인부(200)를 포함하며, 상기 제2상대이동의 이동스케일은 상기 제1상대이동의 이동스케일보다 작게 구성됨으로써 상대적으로 큰 이동스케일로 기판(S) 및 마스크(M) 간의 1차 상대이동을 마치고 상대적으로 작은 이동스케일로 기판(S) 및 마스크(M) 간의 1차 상대이동을 수행함으로써 신속하고 정밀한 기판 및 마스크의 정렬이 가능하다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)